Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя STARPOWER SEMICONDUCTOR - страница 4

Сортировать по:
Новинки ниже
GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А
0.0
GD40PIY120C5S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD40PIY120C5S
13 157.93 ₽
Доступность: 15 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А" 1.

GD450HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В
0.0
GD450HFX170C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD450HFX170C6S
30 783.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD450HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 10.

GD450HFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В
0.0
GD450HFX65C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD450HFX65C6S
18 038.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD450HFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 10.

GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А
0.0
GD50FFX65C5S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFX65C5S
11 825.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А
0.0
GD50FFY120C5S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFY120C5S
14 172.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1
0.0
GD50FSX65L2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL2.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FSX65L2S
6 869.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1" 1.

GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В
0.0
GD50HFX65C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HFX65C1S
7 226.57 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А
0.0
GD50HHU120C5S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HHU120C5S
14 921.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А
0.0
GD50PIX65C5S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIX65C5S
13 872.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А
0.0
GD50PJX65L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PJX65L3S
9 967.53 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А
0.0
GD75FFX65C5S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX65C5S
13 721.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В
0.0
GD75HFY120C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFY120C1S
8 053.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор
0.0
GD75MLX65L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75MLX65L3S
10 155.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

GD80TLQ120F1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC
0.0
GD80TLQ120F1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусF1.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD80TLQ120F1S
7 583.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD80TLQ120F1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 25.

GD900HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В
0.0
GD900HFY120P1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP1.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD900HFY120P1S
50 867.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD900HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 9.

Фильтры товаров
Срок поставки