Бренды :: TOSHIBA - страница 9

GT30J121(Q), Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN

0.0

КОД:

GT30J121Q

Вид упаковкитуба Время включения240нс Время выключения430нс КорпусTO3PN МонтажTHT

656²⁵ ^₽

Доступность: 28 шт.

Минимальное количество для товара "GT30J121(Q), Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN" 1.

GT40QR21(STA1,E,D, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN

0.0

КОД:

GT40QR21

Вид упаковкитуба Время включения0,3мкс Время выключения0,6мкс КорпусTO3PN МонтажTHT

699⁸¹ ^₽

Доступность: 342 шт.

Минимальное количество для товара "GT40QR21(STA1,E,D, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN" 1.

GT40WR21,Q(O, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN

0.0

КОД:

GT40WR21

Вид упаковкитуба Время включения950нс Время выключения570нс КорпусTO3PN МонтажTHT

2 396⁷⁸ ^₽

Доступность: 47 шт.

Минимальное количество для товара "GT40WR21,Q(O, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN" 1.

GT50JR21(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN

0.0

КОД:

GT50JR21

Вид упаковкитуба Время включения430нс Время выключения720нс КорпусTO3PN МонтажTHT

940³⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GT50JR21(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN" 1.

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

0.0

КОД:

GT50JR22

Вид упаковкитуба Время включения250нс Время выключения330нс КорпусTO3PN МонтажTHT

833³³ ^₽

Доступность: 29 шт.

Минимальное количество для товара "GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN" 1.

HN2S01FU(TE85L,F), Диод: импульсный Шоттки; US6; SMD; 15В; 0,1А; бобина,лента; 200мВт

0.0

КОД:

HN2S01FU

Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток1А Конструкция диода3 независимых диода КорпусUS6 МонтажSMD

48³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "HN2S01FU(TE85L,F), Диод: импульсный Шоттки; US6; SMD; 15В; 0,1А; бобина,лента; 200мВт" 1.

JDH3D01FV(TPL3), Диод: импульсный Шоттки; SOT723; SMD; 4В; 25мА; бобина,лента

0.0

КОД:

JDH3D01FV

Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOT723 МонтажSMD Обозначение производителяJDH3D01FV(TPL3)

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "JDH3D01FV(TPL3), Диод: импульсный Шоттки; SOT723; SMD; 4В; 25мА; бобина,лента" 1.

RFM04U6P(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 16В; 2А; 7Вт; PW-Mini; Pвых: 4,3Вт

0.0

КОД:

RFM04U6P

Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность4,3Вт КорпусPW-Mini

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RFM04U6P(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 16В; 2А; 7Вт; PW-Mini; Pвых: 4,3Вт" 1.

RN1401,LF(T, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; R1: 4,7кОм

0.0

КОД:

RN1401

Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 2900 шт.

Минимальное количество для товара "RN1401,LF(T, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; R1: 4,7кОм" 1.

RN1402(TE85L,F), Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; R1: 10кОм

0.0

КОД:

RN1402

Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 Коэффициент усиления по току50 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RN1402(TE85L,F), Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; R1: 10кОм" 1.

RN1406(TE85L,F), Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; R1: 4,7кОм

0.0

КОД:

RN1406

Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 460 шт.

Минимальное количество для товара "RN1406(TE85L,F), Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; R1: 4,7кОм" 1.

RN1411(TE85L,F), Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; 10кОм

0.0

КОД:

RN1411

Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 1580 шт.

Минимальное количество для товара "RN1411(TE85L,F), Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; 10кОм" 1.

RN1427(TE85L,F), Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,8А; 0,2Вт; SC59; R1: 2,2кОм

0.0

КОД:

RN1427

Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RN1427(TE85L,F), Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,8А; 0,2Вт; SC59; R1: 2,2кОм" 1.

RN1604(TE85L,F), Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,3Вт; SM6; R2: 47кОм

0.0

КОД:

RN1604

Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSM6 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 2985 шт.

Минимальное количество для товара "RN1604(TE85L,F), Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,3Вт; SM6; R2: 47кОм" 1.

RN1910FE,LF(CT, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,1Вт; ES6; 4,7кОм

0.0

КОД:

RN1910FE

Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусES6 Коэффициент усиления по току120...700 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RN1910FE,LF(CT, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,1Вт; ES6; 4,7кОм" 1.

RN2405,LXGF(T, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; R1: 2,2кОм

0.0

КОД:

RN2405

Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "RN2405,LXGF(T, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; R1: 2,2кОм" 1.

RN2410(TE85L,F), Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; 4,7кОм

0.0

КОД:

RN2410

Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 2590 шт.

Минимальное количество для товара "RN2410(TE85L,F), Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; 4,7кОм" 1.

SSM3J16FS(TE85L,F), Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; 0,1Вт; SC75

0.0

КОД:

SSM3J16FS

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В

34⁰⁹ ^₽

Доступность: 1100 шт.

Минимальное количество для товара "SSM3J16FS(TE85L,F), Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; 0,1Вт; SC75" 1.

SSM3J327R,LF(B, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,9А; 1Вт; SOT23F; ESD

0.0

КОД:

SSM3J327R

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC КорпусSOT23F

30³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SSM3J327R,LF(B, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,9А; 1Вт; SOT23F; ESD" 1.

SSM3J328R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1Вт; SOT23F; ESD

0.0

КОД:

SSM3J328R

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,8нC КорпусSOT23F

67²³ ^₽

Доступность: 2415 шт.

Минимальное количество для товара "SSM3J328R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1Вт; SOT23F; ESD" 1.

SSM3J331R,LF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F; ESD

0.0

КОД:

SSM3J331R

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23F МонтажSMD

29³⁶ ^₽

Доступность: 2730 шт.

Минимальное количество для товара "SSM3J331R,LF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F; ESD" 1.

SSM3J332R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 1Вт; SOT23F; ESD

0.0

КОД:

SSM3J332R

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC КорпусSOT23F

33¹⁴ ^₽

Доступность: 6360 шт.

Минимальное количество для товара "SSM3J332R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 1Вт; SOT23F; ESD" 1.

SSM3J334R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1Вт; SOT23F; ESD

0.0

КОД:

SSM3J334R

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,9нC КорпусSOT23F

29³⁶ ^₽

Доступность: 3815 шт.

Минимальное количество для товара "SSM3J334R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1Вт; SOT23F; ESD" 1.

SSM3J355R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: 24А; 2Вт; SOT23F; ESD

0.0

КОД:

SSM3J355R

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23F МонтажSMD

29³⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SSM3J355R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: 24А; 2Вт; SOT23F; ESD" 1.