Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя VISHAY - страница 1228

Сортировать по:
Новинки ниже
SI4931DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,9А; 2Вт; SO8
0.0
SI4931DY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4931DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,9А; 2Вт; SO8" 1.

SI4931DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,9А; 2Вт; SO8
0.0
SI4931DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4931DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,9А; 2Вт; SO8" 1.

SI4932DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 30А
0.0
SI4932DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4932DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 30А" 1.

SI4936BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,9А; Idm: 30А
0.0
SI4936BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4936BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,9А; Idm: 30А" 1.

SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А
0.0
SI4936CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSO8 МонтажSMD
146.12 ₽
Доступность: 2715 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А" 1.

SI4943BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8,4А; 2Вт; SO8
0.0
SI4943BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4943BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8,4А; 2Вт; SO8" 1.

SI4943CDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -30А
0.0
SI4943CDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4943CDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -30А" 1.

SI4943CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -30А
0.0
SI4943CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4943CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -30А" 1.

SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8
0.0
SI4946BEY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
258.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 1.

SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8
0.0
SI4946BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
286.53 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 5.

SI4946CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 6,1А; Idm: 25А
0.0
SI4946CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4946CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 6,1А; Idm: 25А" 1.

SI4948BEY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -3,1А; 2,4Вт
0.0
SI4948BEY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4948BEY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -3,1А; 2,4Вт" 1.

SI4948BEY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8
0.0
SI4948BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
223.09 ₽
Доступность: 1650 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4948BEY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8" 1.

SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8
0.0
SI4963BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
218.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

SI4963BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8
0.0
SI4963BDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

SI5403DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -20А; 3,3Вт; ChipFET
0.0
SI5403DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусChipFET МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5403DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -20А; 3,3Вт; ChipFET" 1.

SI5418DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 40А; 31Вт
0.0
SI5418DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5418DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 40А; 31Вт" 1.

SI5419DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А
0.0
SI5419DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
99.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5419DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

SI5424DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А; 6,25Вт
0.0
SI5424DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5424DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А; 6,25Вт" 1.

SI5429DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А
0.0
SI5429DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5429DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки