Товары от производителя VISHAY - страница 1235

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7374DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7386DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 19А; Idm: 50А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7386DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 19А; Idm: 50А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7390DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 15А; Idm: 50А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7390DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 15А; Idm: 50А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7414DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,6А; Idm: 30А; 0,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
224.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7414DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,7А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7415DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,7А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7415DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,6А; Idm: -30А; 0,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7421DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -9,8А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7421DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -9,8А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7423DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -11,7А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7423DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -11,7А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7430DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 26А; Idm: 50А; 64Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7430DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 26А; Idm: 50А; 64Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7431DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -3,8А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7431DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,2А; Idm: -30А; 1,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7434ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 12,3А; Idm: 25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7434DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 3,8А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7434DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 3,8А; Idm: 40А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки