Товары от производителя VISHAY - страница 1241

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7923DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,4А; 2,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
332.15 
Доступность: 2773 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7938DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7942DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7942DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7946ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 7,7А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7949DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7949DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -25А; 0,94Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7956DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 4,1А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7956DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 4,1А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7972DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 8А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7994DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
439.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7997DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; 46Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26/48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7998DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 25/30А; 22/40Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8401DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8401DB-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8406DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16А; Idm: 30А; 13Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8409DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,3А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8410DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,7А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8413DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8416DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 16А; Idm: 20А; 13Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки