Товары от производителя VISHAY - страница 1269

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
161.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
90.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA72ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 96А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
496.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH112E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 225А; Idm: 300А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
661.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH5100E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 277А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
765.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH5800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 302А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора212нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
773.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH600E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 373А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,21мкC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
526.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 299А; Idm: 350А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
216.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
261.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 79А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
164.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
164.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
189.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
161.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR108DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 45А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
126.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR112DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 133А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора94нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
175.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR120DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 106А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
109.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR122DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 59,6А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
109.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR122LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 62,3А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
126.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR124DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 56,8А; Idm: 120А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
70.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR1309DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -65,7А; Idm: -150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
232.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR140DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки