Товары от производителя VISHAY - страница 1276

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
481.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
145.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 67,5А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
235.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR882DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,22мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
432.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA00DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора112нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
268.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA01DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,8А; Idm: -150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
231.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA02DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
278.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA04DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
205.82 
Доступность: 1973 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA06DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,2нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
175.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA10BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 150А; 28Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
180.27 
Доступность: 2435 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA10DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 140А; 26Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
145.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA12BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 59А; Idm: 150А; 24Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
122.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA12DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
77.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA14BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 52А; Idm: 130А; 23Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
156.14 
Доступность: 1891 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA14DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 46А; Idm: 130А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
100.07 
Доступность: 2577 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA18ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
112.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA18BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
147.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 26,3А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора186нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
325.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA20BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 268А; Idm: 350А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора200нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
315.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA20DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
204.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA24DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 40Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки