Товары от производителя VISHAY - страница 1272

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
523.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
82.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR474DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
158.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR500DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 350,8А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
295.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5102DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 110А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
217.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR510DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
176.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR516DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 63,7А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
141.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5708DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
239.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR570DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 77,4А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
195.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR572DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 59,7А; Idm: 180А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
143.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR574DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 48,1А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
123.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR576DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42,2А; Idm: 120А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
217.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR578DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 70,2А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
184.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5802DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 137,5А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора76нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
390.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR580DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 146А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
157.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR582DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 116А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
149.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR584DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 250А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
139.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR606BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 38,7А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
123.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR606DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 37А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
168.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR608DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
217.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR610DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,4А; Idm: 80А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки