Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя VISHAY - страница 1288

Сортировать по:
Новинки ниже
SQ2361ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23
0.0
SQ2361ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
122.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2361ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

SQ2362ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2362ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
112.14 ₽
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2362ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD
0.0
SQ2364EES-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSOT23
124.91 ₽
Доступность: 946 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.

SQ2389ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2389ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
96.52 ₽
Доступность: 1159 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2389ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2398ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А
0.0
SQ2398ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
137.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2398ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А" 1.

SQ3419EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -6,9А; Idm: -27А
0.0
SQ3419EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,3нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3419EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -6,9А; Idm: -27А" 1.

SQ3426AEEV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт
0.0
SQ3426AEEV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
71.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3426AEEV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 3000.

SQ3426EV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт
0.0
SQ3426EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
112.14 ₽
Доступность: 1738 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ3426EV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 1.

SQ3427AEEV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А
0.0
SQ3427AEEV-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSOP6
172.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3427AEEV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

SQ3427EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А
0.0
SQ3427EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
164.66 ₽
Доступность: 1196 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ3427EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

SQ3457EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А
0.0
SQ3457EV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
51.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 3000.

SQ3457EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А
0.0
SQ3457EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
88.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 1.

SQ3461EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6,6А; 1,67Вт; TSOP6
0.0
SQ3461EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
175.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3461EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6,6А; 1,67Вт; TSOP6" 1.

SQ3481EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А
0.0
SQ3481EV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
51.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3481EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

SQ3493EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А; 5Вт
0.0
SQ3493EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
56.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3493EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А; 5Вт" 3000.

SQ4050EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 19А; Idm: 75А; 6Вт
0.0
SQ4050EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусSO8 МонтажSMD
131.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4050EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 19А; Idm: 75А; 6Вт" 2500.

SQ4153EY-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
0.0
SQ4153EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора151нC КорпусSO8 МонтажSMD
321.50 ₽
Доступность: 2276 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ4153EY-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8" 1.

SQ4282EY-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А
0.0
SQ4282EY-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусSO8 МонтажSMD
185.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4282EY-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А" 2500.

SQ4284EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,9Вт; SO8
0.0
SQ4284EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD
348.47 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4284EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,9Вт; SO8" 1.

SQ4850EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,9А; 6,8Вт; SO8
0.0
SQ4850EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
237.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4850EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,9А; 6,8Вт; SO8" 5.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки