Товары от производителя BASiC SEMICONDUCTOR - страница 4

Вид упаковкитуба Код производителяB2D30120H1 Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO247-2 МонтажTHT
2 134.33 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "B2D30120H1, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 1,2кВ; 30А; TO247-2; туба" 1.

Вид упаковкитуба Импульсный ток135А Код производителяB2D30120HC1 Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусTO247-3
1 631.01 
Доступность: 39 шт.
 

Минимальное количество для товара "B2D30120HC1, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 1,2кВ; 15Аx2; TO247-3; 95Вт" 1.

Вид упаковкитуба Код производителяB2D40065H1 Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO247-2 МонтажTHT
1 951.91 
Доступность: 21 шт.
 

Минимальное количество для товара "B2D40065H1, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 40А; TO247-2; туба" 1.

Вид упаковкитуба Код производителяB2D40065HC1 Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусTO247-3 МонтажTHT
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "B2D40065HC1, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 20Аx2; TO247-3; туба" 1.

Вид упаковкитуба Код производителяB2D40120H1 Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO247-2 МонтажTHT
2 809.29 
Доступность: 38 шт.
 

Минимальное количество для товара "B2D40120H1, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 1,2кВ; 40А; TO247-2; туба" 1.

Вид упаковкитуба Импульсный ток180А Код производителяB2D40120HC1 Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусTO247-3
2 172.47 
Доступность: 76 шт.
 

Минимальное количество для товара "B2D40120HC1, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 1,2кВ; 20Аx2; TO247-3; 112Вт" 1.

Вид упаковкитуба Импульсный ток340А Код производителяB2D60120H1 Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO247-2
3 520.73 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "B2D60120H1, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 1,2кВ; 60А; TO247-2; 361Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора149нC Код производителяB1M080120HC КорпусTO247-3
4 217.25 
Доступность: 36 шт.
 

Минимальное количество для товара "B1M080120HC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора149нC Код производителяB1M080120HK КорпусTO247-4
4 217.25 
Доступность: 13 шт.
 

Минимальное количество для товара "B1M080120HK, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC Код производителяB2M032120Y КорпусTO247PLUS-4
3 210.61 
Доступность: 51 шт.
 

Минимальное количество для товара "B2M032120Y, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC Код производителяB2M035120YP КорпусTO247PLUS-4
3 210.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "B2M035120YP, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора60нC Код производителяB2M065120H КорпусTO247-3
2 079.60 
Доступность: 58 шт.
 

Минимальное количество для товара "B2M065120H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора60нC Код производителяB2M065120R КорпусTO263-7
2 426.20 
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "B2M065120R, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора60нC Код производителяB2M065120Z КорпусTO247-4
2 371.48 
Доступность: 26 шт.
 

Минимальное количество для товара "B2M065120Z, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт" 1.

Вид упаковкитуба Код производителяBGH40N120HF КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
1 994.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BGH40N120HF, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 40А; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Код производителяBGH40N120HS1 КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер1,2кВ
1 824.21 
Доступность: 31 шт.
 

Минимальное количество для товара "BGH40N120HS1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 40А; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения54нс Время выключения256нс Заряд затвора308нC Код производителяBGH50N65HF1
2 446.10 
Доступность: 57 шт.
 

Минимальное количество для товара "BGH50N65HF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения54нс Время выключения256нс Заряд затвора308нC Код производителяBGH50N65HS1
2 008.29 
Доступность: 34 шт.
 

Минимальное количество для товара "BGH50N65HS1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения54нс Время выключения476нс Заряд затвора308нC Код производителяBGH50N65ZF1
1 771.14 
Доступность: 26 шт.
 

Минимальное количество для товара "BGH50N65ZF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-4" 1.

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения443нс Заряд затвора398нC Код производителяBGH75N120HF1
2 097.84 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "BGH75N120HF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 75А; 568Вт; TO247-3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Кол-во каналов
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Обратное напряжение макс.
Применение
Рассеиваемая мощность
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Корпус
Падение напряжения макс.
Ток стока
Монтаж
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Время включения
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Напряжение изоляции
Ток коллектора в импульсе
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения