Полупроводники :: Микросхемы :: Аналоговые и смешанные микросхемы :: Драйверы MOSFET/IGBT

MIC5021YN, IC: driver; контроллер затвора; DIP8; Ch: 1; 12÷36В; 150кГц

0.0

КОД:

MIC5021YN

Вид выходанеинвертирующий Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Время нарастания импульса500нс Время падения импульса500нс

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "MIC5021YN, IC: driver; контроллер затвора; DIP8; Ch: 1; 12÷36В; 150кГц" 1.

MIC5060YML-TR, IC: driver; контроллер затвора; MLF8; Ch: 1; 2,75÷30В

0.0

КОД:

MIC5060YML-TR

Вид выходанеинвертирующий Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Кол-во каналов1 КорпусMLF8

554⁹² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "MIC5060YML-TR, IC: driver; контроллер затвора; MLF8; Ch: 1; 2,75÷30В" 1.

NCP1392BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В

0.0

КОД:

NCP1392BDR2G

Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8

175¹⁹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP1392BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

NCP1392DDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В

0.0

КОД:

NCP1392DDR2G

Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8

214⁹⁶ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP1392DDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

NCP1393BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В

0.0

КОД:

NCP1393BDR2G

Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8

185⁶¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP1393BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

NCP302035MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 35А; 4,5÷5,5ВDC

0.0

КОД:

NCP302035MNTWG

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток35А КорпусPQFN31 5X5

334²⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP302035MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 35А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

NCP302045MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 45А; 4,5÷5,5ВDC

0.0

КОД:

NCP302045MNTWG

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток45А КорпусPQFN31 5X5

354¹⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP302045MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 45А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

NCP302150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 50А; 4,5÷5,5ВDC

0.0

КОД:

NCP302150MNTWG

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток50А КорпусPQFN31 5X5

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP302150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 50А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

NCP303150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN39; 50А; 4,5÷5,5ВDC

0.0

КОД:

NCP303150MNTWG

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток50А КорпусPQFN39 МонтажSMD Обозначение производителяNCP303150MNTWG

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP303150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN39; 50А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

NCP3420DR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8

0.0

КОД:

NCP3420DR2G

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора КорпусSO8 МонтажSMD Обозначение производителяNCP3420DR2G ПроизводительONSEMI

108⁹⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP3420DR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8" 1.

NCP5104DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2

0.0

КОД:

NCP5104DR2G

Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА

175¹⁹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP5104DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

NCP5106ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2

0.0

КОД:

NCP5106ADR2G

Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP5106ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

NCP5106BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2

0.0

КОД:

NCP5106BDR2G

Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP5106BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

NCP5109ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В

0.0

КОД:

NCP5109ADR2G

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В

178⁰³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP5109ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

NCP5109BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В

0.0

КОД:

NCP5109BDR2G

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В

178⁰³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP5109BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2

0.0

КОД:

NCP5111DR2G

Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА

218⁷⁵ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

NCP51530BDR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8; -3÷3,5А

0.0

КОД:

NCP51530BDR2G

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В

497¹⁶ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP51530BDR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8; -3÷3,5А" 1.

NCP51530BMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; DFN10; 700В

0.0

КОД:

NCP51530BMNTWG

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В

288⁸³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP51530BMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; DFN10; 700В" 1.

NCP51561BADWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А

0.0

КОД:

NCP51561BADWR2G

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Кол-во каналов2

686⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP51561BADWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

NCP51561BBDWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А

0.0

КОД:

NCP51561BBDWR2G

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Кол-во каналов2

891¹⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP51561BBDWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

NCP51705MNTXG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SiC; QFN24

0.0

КОД:

NCP51705MNTXG

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-6...6А КорпусQFN24

847⁵⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP51705MNTXG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SiC; QFN24" 1.

NCP51810AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15

0.0

КОД:

NCP51810AMNTWG

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А КорпусQFN15 МонтажSMD Обозначение производителяNCP51810AMNTWG

437⁵⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP51810AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.

NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2

0.0

КОД:

NCP5181DR2G

Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса60нс Время падения импульса40нс Выходной ток-2,2...1,4А

372¹⁶ ^₽

Доступность: 1795 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2" 1.

NCP51820AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15

0.0

КОД:

NCP51820AMNTWG

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А Класс напряжения650В КорпусQFN15 МонтажSMD

487⁶⁹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NCP51820AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.