Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории драйверы mosfet/igbt - страница 40

Категории
Полупроводники
Микросхемы
Аналоговые и смешанные микросхемы
Драйверы MOSFET/IGBT
Выключатели - микросхемы
Драйверы - микросхемы
Драйверы двигательные и ШИМ
Потенциометры цифровые
Преобразователи U/I, U/f, U/U
Преобразователи температуры
Светодиодные драйверы
Фильтры - микросхемы
Компараторы
Интерфейсы - микросхемы
Операционные усилители
Фильтры товаров
Вид микросхемы
Тип микросхемы
Топология
Кол-во каналов
Частота
Входное напряжение
Выходное напряжение
Интерфейс
Корпус
Защита
Монтаж
Рабочая температура
Класс напряжения
Выходной ток
Напряжение изоляции
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
NCP302045MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 45А; 4,5÷5,5ВDC
0.0
NCP302045MNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток45А Код производителяNCP302045MNTWG
414.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP302045MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 45А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

NCP302150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 50А; 4,5÷5,5ВDC
0.0
NCP302150MNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток50А Код производителяNCP302150MNTWG
147.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP302150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 50А; 4,5÷5,5ВDC" 3000.

NCP303150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN39; 50А; 4,5÷5,5ВDC
0.0
NCP303150MNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток50А Код производителяNCP303150MNTWG КорпусPQFN39 МонтажSMD
355.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP303150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN39; 50А; 4,5÷5,5ВDC" 3000.

NCP3420DR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8
0.0
NCP3420DR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Код производителяNCP3420DR2G КорпусSO8 МонтажSMD ПроизводительONSEMI
77.24 ₽
Доступность: 2151 шт.
 

Минимальное количество для товара "NCP3420DR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8" 1.

NCP5104DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
0.0
NCP5104DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
210.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5104DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

NCP5106ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
0.0
NCP5106ADR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
120.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5106ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 2500.

NCP5106BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
0.0
NCP5106BDR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
117.50 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5106BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 2500.

NCP5109ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В
0.0
NCP5109ADR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
230.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5109ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

NCP5109BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В
0.0
NCP5109BDR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
236.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5109BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
0.0
NCP5111DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
244.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

NCP51530BDR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8; -3÷3,5А
0.0
NCP51530BDR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
325.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51530BDR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8; -3÷3,5А" 1.

NCP51530BMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; DFN10; 700В
0.0
NCP51530BMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
316.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51530BMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; DFN10; 700В" 1.

NCP51561BADWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А
0.0
NCP51561BADWR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Код производителяNCP51561BADWR2G
631.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51561BADWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

NCP51561BBDWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А
0.0
NCP51561BBDWR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Код производителяNCP51561BBDWR2G
607.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51561BBDWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

NCP51705MNTXG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SiC; QFN24
0.0
NCP51705MNTXG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-6...6А Код производителяNCP51705MNTXG
683.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51705MNTXG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SiC; QFN24" 1.

NCP51810AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15
0.0
NCP51810AMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А Код производителяNCP51810AMNTWG КорпусQFN15 МонтажSMD
283.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51810AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.

NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2
0.0
NCP5181DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса60нс Время падения импульса40нс Выходной ток-2,2...1,4А
269.52 ₽
Доступность: 1693 шт.
 

Минимальное количество для товара "NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2" 1.

NCP51820AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15
0.0
NCP51820AMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А Класс напряжения650В Код производителяNCP51820AMNTWG КорпусQFN15
412.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51820AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.

NCP5183DR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -4,3÷4,3А; 9÷18ВDC; 600В
0.0
NCP5183DR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса40нс Время падения импульса40нс Выходной ток-4,3...4,3А Класс напряжения600В
471.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5183DR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -4,3÷4,3А; 9÷18ВDC; 600В" 1.

NCP5901BDR2G, IC: driver; buck; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8
0.0
NCP5901BDR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Код производителяNCP5901BDR2G КорпусSO8 МонтажSMD ПроизводительONSEMI
69.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5901BDR2G, IC: driver; buck; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Драйверы MOSFET и IGBT — это специализированные микросхемы или модули, предназначенные для управления затвором силовых полупроводниковых ключей (MOSFET, IGBT) в составе инверторов, импульсных источников питания, частотных преобразователей, сварочных аппаратов и систем рекуперации.

Обеспечивают быстрое, надёжное и защищённое переключение при высоких напряжениях и токах.

В каталоге 7-el.ru — драйверы MOSFET и IGBT от проверенных производителей: KEFA, Texas Instruments, Analog Devices, Infineon, STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж