Товары из категории драйверы mosfet/igbt - страница 40

Производитель
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток45А КорпусPQFN31 5X5
437.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP302045MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 45А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток50А КорпусPQFN31 5X5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP302150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 50А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток50А КорпусPQFN39 МонтажSMD Обозначение производителяNCP303150MNTWG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP303150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN39; 50А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора КорпусSO8 МонтажSMD Обозначение производителяNCP3420DR2G ПроизводительONSEMI
87.16 
Доступность: 2328 шт.
 

Минимальное количество для товара "NCP3420DR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8" 1.

Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
190.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5104DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5106ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5106BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
268.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5109ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
261.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5109BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
249.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
336.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51530BDR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8; -3÷3,5А" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
357.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51530BMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; DFN10; 700В" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Кол-во каналов2
596.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51561BADWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Кол-во каналов2
735.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51561BBDWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-6...6А КорпусQFN24
830.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51705MNTXG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SiC; QFN24" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А КорпусQFN15 МонтажSMD Обозначение производителяNCP51810AMNTWG
334.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51810AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.

Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса60нс Время падения импульса40нс Выходной ток-2,2...1,4А
224.77 
Доступность: 1724 шт.
 

Минимальное количество для товара "NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А Класс напряжения650В КорпусQFN15 МонтажSMD
344.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51820AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса40нс Время падения импульса40нс Выходной ток-4,3...4,3А Класс напряжения600В
588.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5183DR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -4,3÷4,3А; 9÷18ВDC; 600В" 1.

Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора КорпусSO8 МонтажSMD Обозначение производителяNCP5901BDR2G ПроизводительONSEMI
90.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5901BDR2G, IC: driver; buck; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Драйверы MOSFET и IGBT — это специализированные микросхемы или модули, предназначенные для управления затвором силовых полупроводниковых ключей (MOSFET, IGBT) в составе инверторов, импульсных источников питания, частотных преобразователей, сварочных аппаратов и систем рекуперации.

Обеспечивают быстрое, надёжное и защищённое переключение при высоких напряжениях и токах.

В каталоге 7-el.ru — драйверы MOSFET и IGBT от проверенных производителей: KEFA, Texas Instruments, Analog Devices, Infineon, STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж