Товары из категории модули igbt, стр.5

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SEMIX453GB07E3P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB07E3P 27895704
113 984.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB07E3P 27895704, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4I33P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4I33P 27897020
128 603.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4I33P 27897020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4IP 27897004
124 161.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4IP 27897004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4P 27895004
120 276.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4P 27895004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4S 27890140
118 425.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4S 27890140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12M7P 27895104
116 945.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12M7P 27895104, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12VS 27890141
137 299.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12VS 27890141, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4DP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4DP 27895414
150 252.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4DP 27895414, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4I50P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4I50P 27897030
156 729.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4I50P 27897030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4IP 27897404
149 697.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4IP 27897404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4P 27895404
145 627.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4P 27895404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4S 27892130
149 883.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4S 27892130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD12E4C 27890212
333 072.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GD176HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD176HDC 27890435
395 985.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD176HDC 27890435, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX453GD17E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD17E4C 27892073
427 443.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD17E4C 27892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GM12E4P
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GM12E4P 27895064
130 268.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GM12E4P 27895064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SEMIX503GD126HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX503GD126HDC 27890740
347 875.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX503GD126HDC 27890740, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX603GAL066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL066HDS 27891130
79 382.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL066HDS 27891130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAL12E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL12E4P 27895020
125 641.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL12E4P 27895020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAL17E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL17E4P 27894420
124 531.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL17E4P 27894420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAR066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR066HDS 27891134
78 272.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR066HDS 27891134, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAR12E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR12E4P 27895040
125 641.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR12E4P 27895040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB066HDS 27891132
110 838.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB066HDS 27891132, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB12E4I25P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4I25P 27897010
175 603.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4I25P 27897010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX603GB12E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4IP 27897000
175 048.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4IP 27897000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX603GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4P 27895000
172 641.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4P 27895000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB12E4PV1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4PV1 27895001
160 059.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4PV1 27895001, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB12E4SICP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4SICP 27895300
87 708.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4SICP 27895300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12M7P 27895100
146 366.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12M7P 27895100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4P 27895400
201 694.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4P 27895400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB17E4PV1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4PV1 27895401
186 891.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4PV1 27895401, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX604GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAL12E4S 27890154
108 433.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAL12E4S 27890154, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX604GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAR12E4S 27890156
107 323.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAR12E4S 27890156, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX604GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12E4S 27890150
156 913.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12E4S 27890150, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX604GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12VS 27890151
81 232.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12VS 27890151, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX604GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB176HDS 27890520
180 969.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB176HDS 27890520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX604GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB17E4S 27892140
199 843.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB17E4S 27892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX653GAL176HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAL176HDS 27890540
116 390.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAL176HDS 27890540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX653GAR176HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAR176HDS 27890530
115 094.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAR176HDS 27890530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX653GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GB176HDS 27890450
177 638.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX653GB176HDS 27890450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX653GD176HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GD176HDC 27890430
518 112.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX653GD176HDC 27890430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX703GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB126HDS 27890700
158 393.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB126HDS 27890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX703GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB12M7P 27895801
165 056.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB12M7P 27895801, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX703GD126HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GD126HDC 27890735
447 796.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX703GD126HDC 27890735, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX71GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX71GD12E4S 27890190
25 350.40 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "SEMIX71GD12E4S 27890190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SEMIX854GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX854GB176HDS 27890510
236 851.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX854GB176HDS 27890510, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX904GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX904GB126HDS 27890720
140 465.60 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "SEMIX904GB126HDS 27890720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SK10GD126ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 126 ET 24910260
21 649.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK10GD12T4ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 12T4 ET 24914830
19 428.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK100GB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 066 T 24914990
26 460.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SK100GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 12T4 T 24914930
32 196.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK100GD066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 066 T 24912430
83 452.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 066 T 24912430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GD07F3TD1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 07F3 TD1 24919170
95 110.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 07F3 TD1 24919170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 12T4 T 24914780
104 732.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 12T4 T 24914780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GH12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GH 12T4 T 24914520
75 867.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GH 12T4 T 24914520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

0.0
SK100MLI066T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 MLI 066 T 24914470
24 056.00 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 100 MLI 066 T 24914470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SK120GAL12F4T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 120 GAL 12F4T 24922420
25 164.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 120 GAL 12F4T 24922420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK150DBB07F3TD1P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301
77 161.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x4,термистор NTC" 1.

0.0
SK25GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GB 12T4 24914890
6 144.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 25 GB 12T4 24914890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK25GD12T4ETP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GD 12T4 ETP 24919631
28 865.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 25 GD 12T4 ETP 24919631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SK30GD066ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 30 GD 066 ET 24914960
23 315.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 30 GD 066 ET 24914960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 30А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK35GAL12T4
ВерсияT2 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 163.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 35 GAL 12T4 24915850, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

0.0
SK35GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GB 12T4 24914900
7 032.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 35 GB 12T4 24914900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK35GD126ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GD 126 ET 24910230
39 968.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 35 GD 126 ET 24910230, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

0.0
SK35GD12T4ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GD 12T4 ET 24914860
34 232.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 35 GD 12T4 ET 24914860, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

0.0
SK50GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GB 12T4 T 24914910
21 464.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GB 12T4 T 24914910, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK50GBB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GBB 066 T 24914750
29 051.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GBB 066 T 24914750, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 50А" 1.

0.0
SK50GD066ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 066 ET 24912720
33 862.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 066 ET 24912720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK50GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 12T4 T 24914940
22 574.40 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 12T4 T 24914940, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

0.0
SK50GH12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GH 12T4 T 24915220
50 700.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 GH 12T4 T 24915220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

0.0
SK50MLI066
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 MLI 066 24914390
26 460.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 50 MLI 066 24914390, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SK55DGL126
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 55 DGL 126 24910820
15 028.80 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 55 DGL 126 24910820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А" 1.

0.0
SK60GAL125
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 60 GAL 125 24912560
29 606.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 60 GAL 125 24912560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
SK60GB125
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 60 GB 125 2491077024910770
17 300.80 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 60 GB 125 2491077024910770, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK75GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GAL 12T4 24915290
5 995.20 
Доступность: 43 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GAL 12T4 24915290, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
SK75GAR12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GAR 12T4 24915300
18 484.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GAR 12T4 24915300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
SK75GB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GB 066 T 24914980
21 464.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GB 066 T 24914980, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SK75GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GB 12T4 T 24914920
21 272.00 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GB 12T4 T 24914920, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK75GBB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GBB 066 T 24914760
37 377.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GBB 066 T 24914760, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А" 1.

0.0
SK75GD066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GD 066 T 24912420
65 318.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GD 066 T 24912420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SK75GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GD 12T4 T 24914790
83 822.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 75 GD 12T4 T 24914790, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SK100GD12T7ETE2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOPE2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK100GD12T7ETE2 24922310
50 700.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK100GD12T7ETE2 24922310, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

0.0
SK25GD12T4ETE1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOPE1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK25GD12T4ETE1 24921440
21 464.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK25GD12T4ETE1 24921440, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SKD116/12-L105
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/12-L105 07916600
81 787.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 116/12-L105 07916600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKD116/12-L140
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/12-L140 07916640
87 708.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 116/12-L140 07916640, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKD116/16-L105
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/16-L105 07916610
91 409.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 116/16-L105 07916610, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKD116/16-L140
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/16-L140 07916650
97 886.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 116/16-L140 07916650, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKD146/12-L105
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/12-L105 07916620
90 484.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 146/12-L105 07916620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А" 1.

0.0
SKD146/12-L140
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/12-L140 07914300
100 107.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 146/12-L140 07914300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKD146/12-L140T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/12-L140 T4 07916660
95 480.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 146/12-L140 T4 07916660, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKD146/16L105
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/16-L105 07916630
101 032.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 146/16-L105 07916630, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 80А" 1.

0.0
SKD146/16L140
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/16-L140 07912810
111 948.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 146/16-L140 07912810, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKD146/16L140T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/16-L140 T4 07916670
106 582.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKD 146/16-L140 T4 07916670, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKDH116/08L105
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH116/08-L105 07916680
87 523.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKDH116/08-L105 07916680, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 800В" 1.

0.0
SKDH116/12L140
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH116/12-L140 07916730
96 220.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKDH116/12-L140 07916730, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKDH116/16L105
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH116/16-L105 07916700
97 700.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKDH116/16-L105 07916700, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKDH116/16L140
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH116/16-L140 07916740
100 476.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKDH116/16-L140 07916740, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKDH146/12L105
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH146/12-L105 07916710
102 697.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKDH146/12-L105 07916710, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKDH146/12L140
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH146/12-L140 07916750
105 843.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKDH146/12-L140 07916750, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKDH146/16L105
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH146/16-L105 07916720
114 724.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKDH146/16-L105 07916720, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKDH146/16L140
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH146/16-L140 07916760
117 870.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKDH146/16-L140 07916760, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKHI10/12R
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
30 902.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKHI 10/12 R L5002255, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI10/17R
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,7кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
32 566.40 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKHI 10/17 R L5002256, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI21AR
Вид выходадрайвер MOSFET Выходной ток Класс напряжения1,2кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
29 976.00 
Доступность: 18 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKHI 21A R L5012520, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI21ARL5071603
Вид выходадрайвер MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
107 137.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKHI 21A R L5071603, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI22AH4R
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,7кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
27 385.60 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKHI 22A H4 R L5012522, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI22AR
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
74 476.80 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKHI 22A R L5071601, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI22BH4R
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,7кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
33 492.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKHI 22B H4 R L5012524, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 12.

0.0
SKHI22BR
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
72 790.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKHI 22B R L5071602, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKIIP01NAC066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность1,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 249.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 01NAC066V3 25232340, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP02NAC066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 934.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NAC066V3 25232320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP02NAC12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 02NAC12T4V1 25232530
14 155.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NAC12T4V1 25232530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 4А" 1.

0.0
SKIIP02NEB066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 478.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NEB066V3 25232300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 10А" 1.

0.0
SKIIP02NEC066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 582.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NEC066V3 25232310, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP03AC126V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03AC126V1 25230880
13 286.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03AC126V1 25230880, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 8А" 1.

0.0
SKIIP03NAC126V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03NAC126V1 25230870
16 764.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NAC126V1 25230870, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 8А" 1.

0.0
SKIIP03NAC12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03NAC12T4V1 25232540
14 155.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NAC12T4V1 25232540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 8А" 1.

0.0
SKIIP03NEB066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность3кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 988.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NEB066V3 25232360, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP03NEC066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03NEC066V3 25232410
14 710.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NEC066V3 25232410, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP04AC066V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 120.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 04AC066V1 25230690, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 20А" 1.

0.0
SKIIP10NAB12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 10NAB12T4V1 25231660
14 692.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 10NAB12T4V1 25231660, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 4А" 1.

0.0
SKIIP11AC126V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 692.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC126V1 25230030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; P: 4кВт" 1.

0.0
SKIIP11AC126V10
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11AC126V10 25230900
17 134.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC126V10 25230900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 6А; винтами" 1.

0.0
SKIIP11AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11AC12T4V1 25231610
15 561.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC12T4V1 25231610, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; винтами" 1.

0.0
SKIIP11AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11AC12T7V1 25231880
16 468.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC12T7V1 25231880, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А; винтами" 1.

0.0
SKIIP11ACC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11ACC12T7V1 25232790
23 500.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11ACC12T7V1 25232790, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT x2" 1.

0.0
SKIIP11HEB066V1
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11HEB066V1 25230830
15 747.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11HEB066V1 25230830, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP11NAB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность1,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 931.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11NAB066V1 25230580, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 6А" 1.

0.0
SKIIP11NAB126V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 531.20 
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11NAB126V1 25230010, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP11NAB12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
18 318.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11NAB12T4V1 25231580, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А" 1.

0.0
SKIIP11NAB12T7V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11NAB12T7V1 25232040
19 244.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 11NAB12T7V1 25232040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А" 1.

0.0
SKIIP12AC126V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 838.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 12AC126V1 25230040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А; винтами" 1.

0.0
SKIIP12AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 856.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 12AC12T4V1 25231590, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А; винтами" 1.

0.0
SKIIP12AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 12AC12T7V1 25231890
17 838.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 12AC12T7V1 25231890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А; винтами" 1.

0.0
SKIIP12ACC12T4V10
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 12ACC12T4V10 25232430
24 056.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 12ACC12T4V10 25232430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT x2" 1.

0.0
SKIIP12HEB066V1
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 12HEB066V1 25230840
7 438.40 
Доступность: 118 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 12HEB066V1 25230840, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP12NAB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 988.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 12NAB066V1 25230590, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 10А" 1.

0.0
SKIIP12NAB126V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 937.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 12NAB126V1 25230020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А" 1.

0.0
SKIIP12NAB126V20
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 240.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 12NAB126V20 25231200, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А" 1.

0.0
SKIIP12NAB12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 086.40 
Доступность: 100 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 12NAB12T4V1 25231440, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP12NAB12T7V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 12NAB12T7V1 25232050
21 280.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 12NAB12T7V1 25232050, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP13AC126V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность7,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
27 571.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 13AC126V1 25230050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SKIIP13AC126V20
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность7,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 006.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 13AC126V20 25231210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 120.

0.0
SKIIP13AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 13AC12T4V1 25231630
22 390.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 13AC12T4V1 25231630, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SKIIP13AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 13AC12T7V1 25231940
22 019.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 13AC12T7V1 25231940, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SKIIP13NAB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность3кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 782.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 13NAB066V1 25230600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP13NEB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 13NEB066V1 25231430
14 692.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 13NEB066V1 25231430, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 43А" 1.

0.0
SKIIP14AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 14AC12T7V1 25232060
26 275.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 14AC12T7V1 25232060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

0.0
SKIIP14NAB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 320.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 14NAB066V1 25230610, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 20А" 1.

0.0
SKIIP15AC066V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 080.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 15AC066V1 25230700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

0.0
SKIIP16GH066V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 16GH066V1 25230920
20 539.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 16GH066V1 25230920, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор; Ic: 50А" 1.

0.0
SKIIP22GB17E4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 22GB17E4V1 25241711
37 748.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 22GB17E4V1 25241711, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKIIP22NAB126V10
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 955.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 22NAB126V10 25230390, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А" 72.

0.0
SKIIP22NAB12T4V2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 22NAB12T4V2 25232140
26 830.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 22NAB12T4V2 25232140, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP23AC126V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 23AC126V1 25231080
31 272.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 23AC126V1 25231080, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SKIIP23AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 23AC12T4V1 25232520
28 496.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 23AC12T4V1 25232520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 25А" 1.

0.0
SKIIP23AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 23AC12T7V1 25232150
27 385.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 23AC12T7V1 25232150, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 25А" 1.

0.0
SKIIP23ACC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 23ACC12T7V1 25231960
41 078.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 23ACC12T7V1 25231960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT x2" 1.

0.0
SKIIP23NAB126V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Мощность7,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 708.80 
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 23NAB126V1 25230060, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 31А" 1.

0.0
SKIIP23NAB126V10
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Мощность7,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
37 377.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 23NAB126V10 25230420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

Показать еще 160 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж