Товары из категории модули igbt - страница 15

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF5.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120F5S
7 384.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD35PJY120F5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 25.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120L3S
9 597.15 
Доступность: 13 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 1.

Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC4 140mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD3600SGY120C4S
116 771.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD3600SGY120C4S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами" 8.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400CLY120C2S
15 837.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400CLY120C2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1200В; Ic: 400А" 12.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400CUY120C2S
15 837.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400CUY120C2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFU120C2S
20 798.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFX170C2S
39 876.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFX65C2S
15 549.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFY120C2S
18 184.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400SGU120C2S
18 374.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400SGU120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 12.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400SGX170C2S
17 535.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400SGX170C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 12.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400SGY120C2S
13 299.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400SGY120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 12.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD40PIY120C5S
13 375.09 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD450HFX170C6S
31 291.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD450HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD450HFX65C6S
18 336.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD450HFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFX65C5S
12 020.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFY120C5S
14 406.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL2.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FSX65L2S
6 982.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HFX65C1S
7 345.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HHU120C5S
15 167.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж