Товары из категории модули igbt - страница 14

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65F1S
6 677.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65L2S
6 583.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGY120C3S
71 171.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD2400SGY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; Urmax: 1200В" 8.

Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC4 140mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGY120C4S
89 678.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD2400SGY120C4S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами" 8.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120F2S
6 258.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD25PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 25.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF5.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120F5S
6 392.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD25PJY120F5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 25.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120L3S
6 792.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 11.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFU120C2S
19 843.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX170C2S
22 323.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX170C6S
24 041.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C2S
13 528.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C6S
15 360.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C8SN
10 437.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C8SN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 16.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFY120C2S
16 237.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFY120C6S
17 954.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC7 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HTY120C7S
52 279.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HTY120C7S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 300А" 8.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300SGY120C2S
11 792.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300SGY120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 12.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65F1S
5 284.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD30PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 25.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65L2S
6 200.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120F2S
7 231.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD35PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 25.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж