Товары из категории модули igbt - страница 21

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH2001200
17 996.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH2001200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH200600
11 840.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH200600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH751200
9 183.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH751200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH75600
7 165.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH75600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO2B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDDB6U104N16RRBPSA1
18 763.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DDB6U104N16RRBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO2B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDDB6U134N16RRBPSA1
21 490.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DDB6U134N16RRBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 70А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDDB6U50N16W1RBPSA1
10 905.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DDB6U50N16W1RBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDDB6U75N16W1RBOMA1
13 038.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DDB6U75N16W1RBOMA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDF400R12KE3HOSA1
34 481.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DF400R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO4-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяF3L300R07PE4
45 506.88 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "F3L300R07PE4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяF4150R12KS4BOSA1
33 279.05 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "F4150R12KS4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY1B-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяF475R06W1E3BOMA1
6 512.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "F475R06W1E3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO2-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяF475R12KS4BOSA1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "F475R12KS4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFB30R06W1E3BOMA1
5 757.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FB30R06W1E3BOMA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-IHVB190 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFD1000R33HE3KBPSA1
521 228.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FD1000R33HE3KBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper; Urmax: 3,3кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFD300R06KE3HOSA1
18 944.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FD300R06KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFD300R12KE3HOSA1
34 481.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FD300R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KE3HOSA1
32 876.91 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "FF200R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KE4PHOSA1
25 459.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF200R12KE4PHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KT3EHOSA1
26 061.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF200R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж