Товары из категории модули igbt - страница 13

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150DH120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DH120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150DH170G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DH170G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150DH60TG
23 175.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DH60TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150DU120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DU120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP6C" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150DU120TG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DU120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150H120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150H120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150H60TG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150H60TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP4" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150SK120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150SK120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150SK170G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150SK170G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150SK60T1G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150SK60T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150TA60PG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150TA60PG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150TDU60PG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150TDU60PG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x6; SP6P" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150TL60G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150TL60G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT200A120D3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200A120D3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT200A120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200A120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT200A170D3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200A170D3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT200A60T3AG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200A60T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT200DA120D3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DA120D3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; D3" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT200DA120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DA120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; SP6C" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT200DA60T3AG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DA60T3AG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP3" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж