Товары из категории модули igbt - страница 22

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA40WB1200TED
17 428.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA40WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXA41W1200ED Обратное напряжение макс.1,2кВ
19 653.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA41W1200ED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA450PF1200TSF
41 786.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA450PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA600PF650TSF
22 896.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA600PF650TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60HU1200VA
6 124.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60HU1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,buck chopper; 290Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60W1200TED
18 755.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60WB1200TEH
18 458.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60WH1200TEH
28 048.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60WH1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA61H1200ED
18 030.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA61H1200ED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXA61WB1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
26 711.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA61WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; XPT™" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80R1200VA
5 418.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80R1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXA80W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
33 009.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80W1200TED
21 561.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80W1200TEH
25 186.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80WB1200TEH
26 915.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA81H1200EH
24 231.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA81H1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA81WB1200TEH
30 529.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA81WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG120W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
39 876.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG120W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG120W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
39 876.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG120W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG180W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
50 180.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG180W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 195А" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж