Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы и модули IGBT :: Модули IGBT

SEMIX305MLI07E4 21919430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 300А; винтами

0.0

КОД:

SEMIX305MLI07E4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305MLI07E4 21919430

167 683 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX305MLI07E4 21919430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 300А; винтами" 1.

SEMIX305MLI12E4V2 27922900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX305MLI12E4V2

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305MLI12E4V2 27922900

210 095 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX305MLI12E4V2 27922900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А" 1.

SEMIX305TMLI12E4B 21919480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC

0.0

КОД:

SEMIX305TMLI12E4B

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305TMLI12E4B 21919480

173 377 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX305TMLI12E4B 21919480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

SEMIX355MLI12M7 27922120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 350А

0.0

КОД:

SEMIX355MLI12M7

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX355MLI12M7 27922120

198 314 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX355MLI12M7 27922120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 350А" 1.

SEMIX402GAL066HDS 27891104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 379А

0.0

КОД:

SEMIX402GAL066HDS

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GAL066HDS 27891104

19 635 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX402GAL066HDS 27891104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 379А" 1.

SEMIX402GAR066HDS 27891106, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 400А

0.0

КОД:

SEMIX402GAR066HDS

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GAR066HDS 27891106

59 691 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX402GAR066HDS 27891106, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 400А" 1.

SEMIX402GB066HDS 27891100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX402GB066HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GB066HDS 27891100

80 110 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX402GB066HDS 27891100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX404GB12E4S 27890170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX404GB12E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX404GB12E4S 27890170

126 842 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX404GB12E4S 27890170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX404GB17E4S 27892076, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX404GB17E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX404GB17E4S 27892076

148 048 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX404GB17E4S 27892076, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX405MLI07E4 21919440, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 400А; винтами

0.0

КОД:

SEMIX405MLI07E4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX405MLI07E4 21919440

200 277 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX405MLI07E4 21919440, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 400А; винтами" 1.

SEMIX405TMLI12E4B 21919490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC

0.0

КОД:

SEMIX405TMLI12E4B

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX405TMLI12E4B 21919490

202 241 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX405TMLI12E4B 21919490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

SEMIX452GAL126HDS 27890685, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX452GAL126HDS

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX452GAL126HDS 27890685

76 969 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX452GAL126HDS 27890685, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX453GAL12E4S 27890144, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX453GAL12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL12E4S 27890144

87 964 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL12E4S 27890144, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX453GAL17E4P 27894424, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX453GAL17E4P

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL17E4P 27894424

107 599 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL17E4P 27894424, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX453GAL17E4S 27892132, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX453GAL17E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL17E4S 27892132

104 458 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL17E4S 27892132, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX453GAR12E4S 27890142, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А

0.0

КОД:

SEMIX453GAR12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAR12E4S 27890142

86 983 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAR12E4S 27890142, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX453GB07E3P 27895704, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX453GB07E3P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB07E3P 27895704

120 951 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB07E3P 27895704, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB12E4I33P 27897020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

0.0

КОД:

SEMIX453GB12E4I33P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4I33P 27897020

136 463 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4I33P 27897020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX453GB12E4IP 27897004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

0.0

КОД:

SEMIX453GB12E4IP

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4IP 27897004

131 750 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4IP 27897004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX453GB12E4P 27895004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX453GB12E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4P 27895004

127 628 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4P 27895004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB12E4S 27890140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX453GB12E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4S 27890140

125 664 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4S 27890140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB12M7P 27895104, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX453GB12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12M7P 27895104

124 093 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12M7P 27895104, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB12VS 27890141, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX453GB12VS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12VS 27890141

145 691 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12VS 27890141, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB17E4DP 27895414, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX453GB17E4DP

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4DP 27895414

159 436 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4DP 27895414, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.