Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы и модули IGBT :: Модули IGBT

SEMIX206GD12M7P 27896120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами

0.0

КОД:

SEMIX206GD12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12M7P 27896120

151 190 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12M7P 27896120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

SEMIX206GD12T4P 27896030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А

0.0

КОД:

SEMIX206GD12T4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12T4P 27896030

174 947 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12T4P 27896030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX223GB12E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12E4P 27895002

81 681 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX223GB12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12M7P 27895102

84 431 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX223GB17E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB17E4P 27895402

97 194 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А

0.0

КОД:

SEMIX223GD12E4C

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GD12E4C 27890208

233 657 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А" 1.

SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX252GB126HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX252GB126HDS 27890680

75 005 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами

0.0

КОД:

SEMIX256GD12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX256GD12M7P 27896130

171 806 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX302GAL12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL12E4S 27890220

63 618 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX302GAL17E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL17E4S 27892120

74 810 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX302GAR12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAR12E4S 27890222

62 832 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB066HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB066HDS 27891120

67 348 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB12E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12E4S 27890120

85 608 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB12VS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12VS 27890121

102 494 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB176HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB176HDS 27890470

100 727 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB17E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB17E4S 27892110

107 010 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

0.0

КОД:

SEMIX303GB12E4I50P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4I50P 27897007

109 367 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX303GB12E4P 27895007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB12E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4P 27895007

97 586 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4P 27895007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12E4S 27890130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB12E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4S 27890130

93 462 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4S 27890130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12M7P 27895107, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12M7P 27895107

96 604 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12M7P 27895107, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12VS 27890131, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB12VS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12VS 27890131

91 696 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12VS 27890131, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB17E4P 27895407, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB17E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB17E4P 27895407

112 902 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB17E4P 27895407, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB17E4S 27892075, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB17E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB17E4S 27892075

112 705 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB17E4S 27892075, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GD12E4C 27890210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX303GD12E4C

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GD12E4C 27890210

274 890 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GD12E4C 27890210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.