Товары из категории модули igbt - страница 24

Производитель
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R17KE4HOSA1
31 274.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ400R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ600R12KE3HOSA1
35 763.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ600R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ900R12KE4HOSA1
41 377.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ900R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD1000HFX170P2S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD1000HFX170P2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100FFX170C6S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100FFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100FFX65C5S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100FFY120C5S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100FFY120C6S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100HFU120C2S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100HFU120C8S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HFU120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100HFX170C1S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HFX170C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100HFX65C1S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100HFY120C1S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100HHU120C6S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HHU120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100MLX65L3S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100PIX65C6S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100PIX65C6S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100PIY120C6SN
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100SGY120D6S
4 490.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65F1S
6 073.39 
Доступность: 21 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65L2S
4 931.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж