Товары из категории модули igbt - страница 31

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM150D12V3
14 481.65 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM200D12V3
15 188.07 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM300D12V3
25 229.36 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM75D12V1
8 123.85 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения3,3кВ МонтажPCB Обозначение производителяHPFM-00117
66 936.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF450B12ME4PB11BPSA1
39 191.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF600B12ME4PB11BPSA1
51 459.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA20PG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
2 110.86 
Доступность: 29 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA30RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 251.53 
Доступность: 39 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA40RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 967.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA60IF1200NA
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXA60IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 56А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA70I1200NA
6 798.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN42N170A
7 487.77 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXBN42N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170
19 614.68 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170A
10 376.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXBN75N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXDN75N120
7 854.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Обозначение производителяIXG70IF1200NA Обратное напряжение макс.1,2кВ
5 376.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXG70IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 86А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN100N170
14 219.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXGN100N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN200N170
12 840.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXGN200N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN200N60B3
9 558.87 
Доступность: 22 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXGN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж