Товары из категории модули igbt, стр.5

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SEMIX453GB07E3P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB07E3P 27895704
112 632.41 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB07E3P 27895704, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4I33P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4I33P 27897020
127 078.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4I33P 27897020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4IP 27897004
122 689.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4IP 27897004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4P 27895004
118 850.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4P 27895004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4S 27890140
117 021.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4S 27890140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12M7P 27895104
115 558.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12M7P 27895104, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12VS 27890141
135 671.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12VS 27890141, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4DP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4DP 27895414
148 471.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4DP 27895414, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4I50P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4I50P 27897030
154 871.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4I50P 27897030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4IP 27897404
147 922.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4IP 27897404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4P 27895404
143 900.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4P 27895404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4S 27892130
148 105.93 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4S 27892130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD12E4C 27890212
329 122.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GD176HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD176HDC 27890435
391 290.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD176HDC 27890435, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX453GD17E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD17E4C 27892073
422 374.70 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD17E4C 27892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GM12E4P
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GM12E4P 27895064
128 724.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GM12E4P 27895064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SEMIX503GD126HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX503GD126HDC 27890740
343 750.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX503GD126HDC 27890740, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX603GAL066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL066HDS 27891130
78 441.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL066HDS 27891130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAL12E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL12E4P 27895020
124 151.78 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL12E4P 27895020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAL17E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL17E4P 27894420
123 054.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL17E4P 27894420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAR066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR066HDS 27891134
77 343.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR066HDS 27891134, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAR12E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR12E4P 27895040
124 151.78 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR12E4P 27895040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB066HDS 27891132
109 524.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB066HDS 27891132, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB12E4I25P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4I25P 27897010
173 520.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4I25P 27897010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX603GB12E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4IP 27897000
172 972.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4IP 27897000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX603GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4P 27895000
170 594.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4P 27895000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB12E4PV1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4PV1 27895001
158 161.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4PV1 27895001, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB12E4SICP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4SICP 27895300
86 668.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4SICP 27895300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12M7P 27895100
144 630.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12M7P 27895100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4P 27895400
199 302.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4P 27895400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB17E4PV1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4PV1 27895401
184 675.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4PV1 27895401, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX604GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAL12E4S 27890154
107 147.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAL12E4S 27890154, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX604GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAR12E4S 27890156
106 050.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAR12E4S 27890156, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX604GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12E4S 27890150
155 052.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12E4S 27890150, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX604GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12VS 27890151
80 268.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12VS 27890151, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX604GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB176HDS 27890520
178 823.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB176HDS 27890520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX604GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB17E4S 27892140
197 473.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB17E4S 27892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX653GAL176HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAL176HDS 27890540
115 010.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAL176HDS 27890540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX653GAR176HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAR176HDS 27890530
113 729.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAR176HDS 27890530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX653GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GB176HDS 27890450
175 532.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX653GB176HDS 27890450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX653GD176HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GD176HDC 27890430
511 968.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX653GD176HDC 27890430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX703GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB126HDS 27890700
156 515.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB126HDS 27890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX703GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB12M7P 27895801
163 098.81 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB12M7P 27895801, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX703GD126HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GD126HDC 27890735
442 486.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX703GD126HDC 27890735, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX71GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX71GD12E4S 27890190
25 049.80 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "SEMIX71GD12E4S 27890190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SEMIX854GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX854GB176HDS 27890510
234 042.69 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX854GB176HDS 27890510, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX904GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX904GB126HDS 27890720
138 800.00 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "SEMIX904GB126HDS 27890720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SK10GD126ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 126 ET 24910260
21 392.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK10GD12T4ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 12T4 ET 24914830
19 198.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK100GB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 066 T 24914990
26 147.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SK100GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 12T4 T 24914930
31 815.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK100GD066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 066 T 24912430
82 463.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 066 T 24912430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GD07F3TD1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 07F3 TD1 24919170
93 982.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 07F3 TD1 24919170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 12T4 T 24914780
103 490.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 12T4 T 24914780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GH12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GH 12T4 T 24914520
74 967.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GH 12T4 T 24914520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

0.0
SK100MLI066T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 MLI 066 T 24914470
23 770.75 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 100 MLI 066 T 24914470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SK120GAL12F4T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 120 GAL 12F4T 24922420
24 866.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 120 GAL 12F4T 24922420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK150DBB07F3TD1P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301
76 246.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x4,термистор NTC" 1.

0.0
SK25GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GB 12T4 24914890
6 071.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 25 GB 12T4 24914890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK25GD12T4ETP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GD 12T4 ETP 24919631
28 523.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 25 GD 12T4 ETP 24919631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SK30GD066ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 30 GD 066 ET 24914960
23 038.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 30 GD 066 ET 24914960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 30А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK35GAL12T4
ВерсияT2 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 113.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GAL 12T4 24915850, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

0.0
SK35GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GB 12T4 24914900
6 948.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GB 12T4 24914900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK35GD126ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GD 126 ET 24910230
39 494.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GD 126 ET 24910230, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

0.0
SK35GD12T4ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GD 12T4 ET 24914860
33 826.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GD 12T4 ET 24914860, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

0.0
SK50GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GB 12T4 T 24914910
21 209.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GB 12T4 T 24914910, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK50GBB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GBB 066 T 24914750
28 706.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GBB 066 T 24914750, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 50А" 1.

0.0
SK50GD066ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 066 ET 24912720
33 460.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 066 ET 24912720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK50GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 12T4 T 24914940
22 306.72 
Доступность: 8 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 12T4 T 24914940, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

0.0
SK50GH12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GH 12T4 T 24915220
50 099.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GH 12T4 T 24915220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

0.0
SK50MLI066
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 MLI 066 24914390
26 147.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 MLI 066 24914390, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SK55DGL126
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 55 DGL 126 24910820
14 850.59 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 55 DGL 126 24910820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А" 1.

0.0
SK60GAL125
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 60 GAL 125 24912560
29 255.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 60 GAL 125 24912560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
SK60GB125
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 60 GB 125 2491077024910770
17 095.65 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 60 GB 125 2491077024910770, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK75GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GAL 12T4 24915290
5 924.11 
Доступность: 13 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GAL 12T4 24915290, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
SK75GAR12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GAR 12T4 24915300
18 265.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GAR 12T4 24915300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
SK75GB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GB 066 T 24914980
21 209.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GB 066 T 24914980, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SK75GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GB 12T4 T 24914920
21 019.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GB 12T4 T 24914920, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK75GBB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GBB 066 T 24914760
36 934.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GBB 066 T 24914760, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А" 1.

0.0
SK75GD066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GD 066 T 24912420
64 543.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GD 066 T 24912420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SK75GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GD 12T4 T 24914790
82 828.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GD 12T4 T 24914790, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SK100GD12T7ETE2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOPE2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK100GD12T7ETE2 24922310
50 099.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK100GD12T7ETE2 24922310, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

0.0
SK25GD12T4ETE1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOPE1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK25GD12T4ETE1 24921440
21 209.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK25GD12T4ETE1 24921440, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SKD116/12-L105
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/12-L105 07916600
80 817.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKD 116/12-L105 07916600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKD116/12-L140
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/12-L140 07916640
86 668.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKD 116/12-L140 07916640, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKD116/16-L105
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/16-L105 07916610
90 325.69 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKD 116/16-L105 07916610, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKD116/16-L140
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 116/16-L140 07916650
96 725.69 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKD 116/16-L140 07916650, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKD146/12-L105
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/12-L105 07916620
89 411.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKD 146/12-L105 07916620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А" 1.

0.0
SKD146/12-L140
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/12-L140 07914300
98 920.16 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKD 146/12-L140 07914300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKD146/12-L140T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/12-L140 T4 07916660
94 347.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKD 146/12-L140 T4 07916660, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKD146/16L105
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/16-L105 07916630
99 833.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKD 146/16-L105 07916630, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 80А" 1.

0.0
SKD146/16L140
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/16-L140 07912810
110 621.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKD 146/16-L140 07912810, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKD146/16L140T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKD 146/16-L140 T4 07916670
105 318.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKD 146/16-L140 T4 07916670, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKDH116/08L105
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH116/08-L105 07916680
86 485.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKDH116/08-L105 07916680, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 800В" 1.

0.0
SKDH116/12L140
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH116/12-L140 07916730
95 079.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKDH116/12-L140 07916730, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKDH116/16L105
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH116/16-L105 07916700
96 542.29 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKDH116/16-L105 07916700, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKDH116/16L140
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH116/16-L140 07916740
99 285.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKDH116/16-L140 07916740, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKDH146/12L105
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH146/12-L105 07916710
101 479.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKDH146/12-L105 07916710, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKDH146/12L140
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH146/12-L140 07916750
104 588.14 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKDH146/12-L140 07916750, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKDH146/16L105
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH146/16-L105 07916720
113 364.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKDH146/16-L105 07916720, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKDH146/16L140
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусSEMIPONT6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKDH146/16-L140 07916760
116 472.73 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKDH146/16-L140 07916760, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKHI10/12R
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
30 535.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKHI 10/12 R L5002255, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI10/17R
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,7кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
32 180.24 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKHI 10/17 R L5002256, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI21AR
Вид выходадрайвер MOSFET Выходной ток Класс напряжения1,2кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
29 620.55 
Доступность: 18 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKHI 21A R L5012520, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI21ARL5071603
Вид выходадрайвер MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
105 867.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKHI 21A R L5071603, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI22AH4R
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,7кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
27 060.87 
Доступность: 28 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKHI 22A H4 R L5012522, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI22AR
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
73 593.68 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKHI 22A R L5071601, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKHI22BH4R
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,7кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
33 095.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKHI 22B H4 R L5012524, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 12.

0.0
SKHI22BR
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB
71 927.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKHI 22B R L5071602, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

0.0
SKIIP01NAC066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность1,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 104.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 01NAC066V3 25232340, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP02NAC066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 781.03 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NAC066V3 25232320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP02NAC12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 02NAC12T4V1 25232530
13 987.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NAC12T4V1 25232530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 4А" 1.

0.0
SKIIP02NEB066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 425.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NEB066V3 25232300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 10А" 1.

0.0
SKIIP02NEC066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 433.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NEC066V3 25232310, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP03AC126V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03AC126V1 25230880
13 128.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 03AC126V1 25230880, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 8А" 1.

0.0
SKIIP03NAC126V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03NAC126V1 25230870
16 566.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NAC126V1 25230870, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 8А" 1.

0.0
SKIIP03NAC12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03NAC12T4V1 25232540
13 987.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NAC12T4V1 25232540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 8А" 1.

0.0
SKIIP03NEB066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность3кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 822.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NEB066V3 25232360, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP03NEC066V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03NEC066V3 25232410
14 535.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NEC066V3 25232410, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP04AC066V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 964.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 04AC066V1 25230690, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 20А" 1.

0.0
SKIIP10NAB12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 10NAB12T4V1 25231660
14 518.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 10NAB12T4V1 25231660, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 4А" 1.

0.0
SKIIP11AC126V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 518.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC126V1 25230030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; P: 4кВт" 1.

0.0
SKIIP11AC126V10
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11AC126V10 25230900
16 931.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC126V10 25230900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 6А; винтами" 1.

0.0
SKIIP11AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11AC12T4V1 25231610
15 377.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC12T4V1 25231610, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; винтами" 1.

0.0
SKIIP11AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11AC12T7V1 25231880
16 273.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 11AC12T7V1 25231880, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А; винтами" 1.

0.0
SKIIP11ACC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11ACC12T7V1 25232790
23 222.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 11ACC12T7V1 25232790, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT x2" 1.

0.0
SKIIP11HEB066V1
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11HEB066V1 25230830
15 560.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 11HEB066V1 25230830, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP11NAB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность1,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 742.29 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 11NAB066V1 25230580, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 6А" 1.

0.0
SKIIP11NAB126V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 453.75 
Доступность: 57 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 11NAB126V1 25230010, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP11NAB12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
18 101.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 11NAB12T4V1 25231580, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А" 1.

0.0
SKIIP11NAB12T7V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 11NAB12T7V1 25232040
19 016.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 11NAB12T7V1 25232040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А" 1.

0.0
SKIIP12AC126V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 626.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 12AC126V1 25230040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А; винтами" 1.

0.0
SKIIP12AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 644.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 12AC12T4V1 25231590, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А; винтами" 1.

0.0
SKIIP12AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 12AC12T7V1 25231890
17 626.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 12AC12T7V1 25231890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А; винтами" 1.

0.0
SKIIP12ACC12T4V10
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 12ACC12T4V10 25232430
23 770.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 12ACC12T4V10 25232430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT x2" 1.

0.0
SKIIP12HEB066V1
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 12HEB066V1 25230840
7 350.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 12HEB066V1 25230840, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKIIP12NAB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 822.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 12NAB066V1 25230590, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 10А" 1.

0.0
SKIIP12NAB126V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 843.48 
Доступность: 10 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 12NAB126V1 25230020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А" 1.

0.0
SKIIP12NAB126V20
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
23 952.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 12NAB126V20 25231200, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А" 1.

0.0
SKIIP12NAB12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 990.51 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 12NAB12T4V1 25231440, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP12NAB12T7V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 12NAB12T7V1 25232050
21 027.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 12NAB12T7V1 25232050, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP13AC126V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность7,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
27 244.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 13AC126V1 25230050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SKIIP13AC126V20
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность7,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 828.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 13AC126V20 25231210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 120.

0.0
SKIIP13AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 13AC12T4V1 25231630
22 124.90 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 13AC12T4V1 25231630, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SKIIP13AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 13AC12T7V1 25231940
21 758.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 13AC12T7V1 25231940, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SKIIP13NAB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность3кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 583.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 13NAB066V1 25230600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP13NEB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 13NEB066V1 25231430
14 518.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 13NEB066V1 25231430, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 43А" 1.

0.0
SKIIP14AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 14AC12T7V1 25232060
25 963.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 14AC12T7V1 25232060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

0.0
SKIIP14NAB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 114.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 14NAB066V1 25230610, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 20А" 1.

0.0
SKIIP15AC066V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 889.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 15AC066V1 25230700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

0.0
SKIIP16GH066V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 16GH066V1 25230920
20 295.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 16GH066V1 25230920, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор; Ic: 50А" 1.

0.0
SKIIP22GB17E4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 22GB17E4V1 25241711
37 301.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 22GB17E4V1 25241711, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKIIP22NAB126V10
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Мощность5,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 837.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 22NAB126V10 25230390, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А" 72.

0.0
SKIIP22NAB12T4V2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 22NAB12T4V2 25232140
26 512.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 22NAB12T4V2 25232140, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
SKIIP23AC126V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 23AC126V1 25231080
30 901.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 23AC126V1 25231080, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SKIIP23AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 23AC12T4V1 25232520
28 158.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 23AC12T4V1 25232520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 25А" 1.

0.0
SKIIP23AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 23AC12T7V1 25232150
27 060.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 23AC12T7V1 25232150, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 25А" 1.

0.0
SKIIP23ACC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 23ACC12T7V1 25231960
40 591.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 23ACC12T7V1 25231960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT x2" 1.

0.0
SKIIP23NAB126V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Мощность7,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 510.67 
Доступность: 57 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 23NAB126V1 25230060, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 31А" 1.

0.0
SKIIP23NAB126V10
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 2 Механический монтажвинтами Мощность7,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 934.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 23NAB126V10 25230420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

Показать еще 160 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж