Товары из категории модули igbt - страница 51

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAL176HDS 27890540
111 229.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAL176HDS 27890540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAR176HDS 27890530
109 990.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAR176HDS 27890530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GB176HDS 27890450
169 761.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX653GB176HDS 27890450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GD176HDC 27890430
495 137.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX653GD176HDC 27890430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB126HDS 27890700
151 370.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB126HDS 27890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB12M7P 27895801
157 737.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB12M7P 27895801, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GD126HDC 27890735
427 940.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX703GD126HDC 27890735, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX71GD12E4S 27890190
24 226.30 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "SEMIX71GD12E4S 27890190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX854GB176HDS 27890510
226 348.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX854GB176HDS 27890510, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX904GB126HDS 27890720
134 237.00 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "SEMIX904GB126HDS 27890720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSGO600T120UC3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SGO600T120UC3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; 62MM" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 066 T 24914990
25 287.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 12T4 T 24914930
30 769.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 066 T 24912430
79 752.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 066 T 24912430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 07F3 TD1 24919170
90 892.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 07F3 TD1 24919170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 12T4 T 24914780
100 088.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 12T4 T 24914780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOPE2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK100GD12T7ETE2 24922310
48 452.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK100GD12T7ETE2 24922310, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GH 12T4 T 24914520
72 503.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GH 12T4 T 24914520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 MLI 066 T 24914470
22 989.30 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 100 MLI 066 T 24914470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 126 ET 24910260
20 689.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж