Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Модули IGBT

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
80
SEMIX453GB07E3P 27895704, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX453GB07E3P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB07E3P 27895704
120 951 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB07E3P 27895704, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB12E4I33P 27897020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT
0.0
SEMIX453GB12E4I33P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4I33P 27897020
136 463 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4I33P 27897020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX453GB12E4IP 27897004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT
0.0
SEMIX453GB12E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4IP 27897004
131 750 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4IP 27897004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX453GB12E4P 27895004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX453GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4P 27895004
127 628 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4P 27895004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB12E4S 27890140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX453GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4S 27890140
125 664 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4S 27890140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB12M7P 27895104, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX453GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12M7P 27895104
124 093 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12M7P 27895104, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB12VS 27890141, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX453GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12VS 27890141
145 691 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12VS 27890141, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB17E4DP 27895414, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX453GB17E4DP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4DP 27895414
159 436 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4DP 27895414, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB17E4I50P 27897030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT
0.0
SEMIX453GB17E4I50P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4I50P 27897030
166 309 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4I50P 27897030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX453GB17E4IP 27897404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT
0.0
SEMIX453GB17E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4IP 27897404
158 847 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4IP 27897404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX453GB17E4P 27895404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX453GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4P 27895404
154 528 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4P 27895404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GB17E4S 27892130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX453GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4S 27892130
159 044 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4S 27892130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А
0.0
SEMIX453GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD12E4C 27890212
353 430 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

SEMIX453GD176HDC 27890435, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А
0.0
SEMIX453GD176HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD176HDC 27890435
420 188 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD176HDC 27890435, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

SEMIX453GD17E4C 27892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А
0.0
SEMIX453GD17E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD17E4C 27892073
453 569 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD17E4C 27892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

SEMIX453GM12E4P 27895064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2
0.0
SEMIX453GM12E4P
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GM12E4P 27895064
138 231 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GM12E4P 27895064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

SEMIX503GD126HDC 27890740, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А
0.0
SEMIX503GD126HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX503GD126HDC 27890740
369 138 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX503GD126HDC 27890740, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

SEMIX603GAL066HDS 27891130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А
0.0
SEMIX603GAL066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL066HDS 27891130
84 234 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL066HDS 27891130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX603GAL12E4P 27895020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А
0.0
SEMIX603GAL12E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL12E4P 27895020
133 321 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL12E4P 27895020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX603GAL17E4P 27894420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А
0.0
SEMIX603GAL17E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL17E4P 27894420
132 143 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL17E4P 27894420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX603GAR066HDS 27891134, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А
0.0
SEMIX603GAR066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR066HDS 27891134
83 056 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR066HDS 27891134, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX603GAR12E4P 27895040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А
0.0
SEMIX603GAR12E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR12E4P 27895040
133 321 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR12E4P 27895040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX603GB066HDS 27891132, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX603GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB066HDS 27891132
117 613 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB066HDS 27891132, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12E4I25P 27897010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT
0.0
SEMIX603GB12E4I25P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4I25P 27897010
186 336 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4I25P 27897010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX603GB12E4IP 27897000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT
0.0
SEMIX603GB12E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4IP 27897000
185 747 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4IP 27897000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX603GB12E4P 27895000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX603GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4P 27895000
183 194 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4P 27895000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12E4PV1 27895001, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX603GB12E4PV1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4PV1 27895001
169 842 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4PV1 27895001, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12E4SICP 27895300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX603GB12E4SICP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4SICP 27895300
93 070 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4SICP 27895300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB12M7P 27895100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX603GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12M7P 27895100
155 312 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12M7P 27895100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB17E4P 27895400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX603GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4P 27895400
214 022 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4P 27895400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX603GB17E4PV1 27895401, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX603GB17E4PV1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4PV1 27895401
198 314 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4PV1 27895401, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX604GAL12E4S 27890154, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А
0.0
SEMIX604GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAL12E4S 27890154
115 061 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAL12E4S 27890154, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX604GAR12E4S 27890156, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А
0.0
SEMIX604GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAR12E4S 27890156
113 883 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAR12E4S 27890156, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

SEMIX604GB12E4S 27890150, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX604GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12E4S 27890150
166 504 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12E4S 27890150, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX604GB12VS 27890151, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX604GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12VS 27890151
86 197 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12VS 27890151, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX604GB176HDS 27890520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX604GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB176HDS 27890520
192 031 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB176HDS 27890520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX604GB17E4S 27892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX604GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB17E4S 27892140
212 058 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB17E4S 27892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX653GAL176HDS 27890540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А
0.0
SEMIX653GAL176HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAL176HDS 27890540
123 504 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAL176HDS 27890540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX653GAR176HDS 27890530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А
0.0
SEMIX653GAR176HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAR176HDS 27890530
122 129 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAR176HDS 27890530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX653GB176HDS 27890450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX653GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GB176HDS 27890450
188 496 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX653GB176HDS 27890450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX653GD176HDC 27890430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А
0.0
SEMIX653GD176HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GD176HDC 27890430
549 779 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX653GD176HDC 27890430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

SEMIX703GB126HDS 27890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX703GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB126HDS 27890700
168 075 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB126HDS 27890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX703GB12M7P 27895801, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX703GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB12M7P 27895801
175 144 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB12M7P 27895801, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX703GD126HDC 27890735, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А
0.0
SEMIX703GD126HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GD126HDC 27890735
475 166 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX703GD126HDC 27890735, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

SEMIX71GD12E4S 27890190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А
0.0
SEMIX71GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX71GD12E4S 27890190
26 900 ₽
Доступность: 6 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX71GD12E4S 27890190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

SEMIX854GB176HDS 27890510, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX854GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX854GB176HDS 27890510
251 328 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX854GB176HDS 27890510, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX904GB126HDS 27890720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX904GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX904GB126HDS 27890720
149 051 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX904GB126HDS 27890720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3
0.0
SK10GD126ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 126 ET 24910260
22 973 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3
0.0
SK10GD12T4ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 12T4 ET 24914830
20 616 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
0.0
SK100GB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 066 T 24914990
28 078 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SK100GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 12T4 T 24914930
34 165 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SK 100 GD 066 T 24912430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SK100GD066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 066 T 24912430
88 553 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 066 T 24912430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SK 100 GD 07F3 TD1 24919170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SK100GD07F3TD1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 07F3 TD1 24919170
100 924 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 07F3 TD1 24919170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SK 100 GD 12T4 T 24914780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SK100GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 12T4 T 24914780
111 134 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 12T4 T 24914780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SK 100 GH 12T4 T 24914520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC
0.0
SK100GH12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GH 12T4 T 24914520
80 504 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 100 GH 12T4 T 24914520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

SK 100 MLI 066 T 24914470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор
0.0
SK100MLI066T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 MLI 066 T 24914470
25 526 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 100 MLI 066 T 24914470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

SK 120 GAL 12F4T 24922420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
SK120GAL12F4T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 120 GAL 12F4T 24922420
26 703 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 120 GAL 12F4T 24922420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x4,термистор NTC
0.0
SK150DBB07F3TD1P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301
81 878 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x4,термистор NTC" 1.

SK 25 GB 12T4 24914890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SK25GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GB 12T4 24914890
6 520 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 25 GB 12T4 24914890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SK 25 GD 12T4 ETP 24919631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами
0.0
SK25GD12T4ETP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GD 12T4 ETP 24919631
30 630 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 25 GD 12T4 ETP 24919631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

SK 30 GD 066 ET 24914960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 30А; SEMITOP3
0.0
SK30GD066ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 30 GD 066 ET 24914960
24 740 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 30 GD 066 ET 24914960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 30А; SEMITOP3" 1.

SK 35 GAL 12T4 24915850, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А
0.0
SK35GAL12T4
ВерсияT2 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 418 ₽
Доступность: 51 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SK 35 GAL 12T4 24915850, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

SK 35 GB 12T4 24914900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SK35GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GB 12T4 24914900
7 462 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 35 GB 12T4 24914900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SK 35 GD 126 ET 24910230, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами
0.0
SK35GD126ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GD 126 ET 24910230
42 411 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 35 GD 126 ET 24910230, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

SK 35 GD 12T4 ET 24914860, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами
0.0
SK35GD12T4ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GD 12T4 ET 24914860
36 324 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 35 GD 12T4 ET 24914860, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

SK 50 GB 12T4 T 24914910, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SK50GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GB 12T4 T 24914910
22 776 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 50 GB 12T4 T 24914910, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SK 50 GBB 066 T 24914750, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 50А
0.0
SK50GBB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GBB 066 T 24914750
30 827 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 50 GBB 066 T 24914750, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 50А" 1.

SK 50 GD 066 ET 24912720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3
0.0
SK50GD066ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 066 ET 24912720
35 932 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 066 ET 24912720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3" 1.

SK 50 GD 12T4 T 24914940, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А
0.0
SK50GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 12T4 T 24914940
23 954 ₽
Доступность: 3 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 12T4 T 24914940, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

SK 50 GH 12T4 T 24915220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC
0.0
SK50GH12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GH 12T4 T 24915220
53 800 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 50 GH 12T4 T 24915220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

SK 50 MLI 066 24914390, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор
0.0
SK50MLI066
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 MLI 066 24914390
28 078 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 50 MLI 066 24914390, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

SK 55 DGL 126 24910820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А
0.0
SK55DGL126
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 55 DGL 126 24910820
15 947 ₽
Доступность: 9 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SK 55 DGL 126 24910820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А" 1.

SK 60 GAL 125 24912560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А
0.0
SK60GAL125
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 60 GAL 125 24912560
31 416 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 60 GAL 125 24912560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

SK 60 GB 125 2491077024910770, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SK60GB125
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 60 GB 125 2491077024910770
18 358 ₽
Доступность: 9 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SK 60 GB 125 2491077024910770, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SK 75 GAL 12T4 24915290, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А
0.0
SK75GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GAL 12T4 24915290
6 362 ₽
Доступность: 29 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SK 75 GAL 12T4 24915290, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

SK 75 GAR 12T4 24915300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А
0.0
SK75GAR12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GAR 12T4 24915300
19 615 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 75 GAR 12T4 24915300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

SK 75 GB 066 T 24914980, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
0.0
SK75GB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GB 066 T 24914980
22 776 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 75 GB 066 T 24914980, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

SK 75 GB 12T4 T 24914920, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SK75GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GB 12T4 T 24914920
22 572 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 75 GB 12T4 T 24914920, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SK 75 GBB 066 T 24914760, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А
0.0
SK75GBB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GBB 066 T 24914760
39 662 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 75 GBB 066 T 24914760, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А" 1.

SK 75 GD 066 T 24912420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А
0.0
SK75GD066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GD 066 T 24912420
69 311 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK 75 GD 066 T 24912420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

Показать еще 80 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)