Товары из категории полупроводники - страница 1776

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB017N10N5ATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 099.66 
Доступность: 960 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB019N06L3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
462.52 
Доступность: 622 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB019N08N3G КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB019N08N3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB020N04NGATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; 167Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB020N10N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB020N10N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N10N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 313Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB024N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
610.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB025N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
712.10 
Доступность: 652 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB025N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 126.06 
Доступность: 865 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB026N06NATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
494.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB027N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
785.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB027N10N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB029N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
415.67 
Доступность: 970 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB030N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
740.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB031N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
668.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB031NE7N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
487.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB033N10N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB033N10N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 108А; 179Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB034N06L3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB034N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB035N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB035N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB036N12N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 107.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж