Товары из категории полупроводники - страница 1777

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB037N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
293.87 
Доступность: 992 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB037N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB038N12N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
768.31 
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB039N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
434.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB039N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB042N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
399.49 
Доступность: 982 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB042N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB044N15N5ATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB044N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 123А; Idm: 696А; 300Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB048N15N5ATMA1 КорпусPG-TO 263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB048N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 118А; Idm: 480А; 300Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB048N15N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 614.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB049N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
466.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB049NE7N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
350.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB054N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
348.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB054N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
340.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB054N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB055N03LGATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
172.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB055N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB057N06NATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
386.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB057N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB065N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB065N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 130А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB067N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
391.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB067N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB072N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
837.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB072N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора49нC Код производителяIPB073N15N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
736.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB081N06L3G КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
212.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB083N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
293.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB083N15N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 459.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж