Товары из категории полупроводники - страница 1786

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R420CFDBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
343.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R600C6BTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
251.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R600E6ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
251.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R600E6BTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
251.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R660CFDATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
425.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R660CFDBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
262.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R950CFDATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
320.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R950CFDBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
188.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70N10S312ATMA1 КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70N10S312ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 48А; Idm: 280А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70N10S3L12ATMA1 КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
249.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70N10S3L12ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 48А; Idm: 280А" 2500.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC Код производителяIPD70R1K4CEAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
193.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 53Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70R1K4P7SAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
107.33 
Доступность: 2477 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,8нC Код производителяIPD70R2K0CEAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
149.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R2K0CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,6А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70R360P7SAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
232.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R360P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70R600P7SAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R600P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 5А; 43,1Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70R900P7SAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
108.18 
Доступность: 1386 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD78CN10NGATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
126.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD78CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD80P03P4L07ATMA1 КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...16В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80P03P4L07ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -65А; Idm: -320А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD80R1K0CEATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
123.51 
Доступность: 2334 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC Код производителяIPD80R1K2P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
251.28 
Доступность: 2495 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж