Товары из категории полупроводники - страница 1878

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC Код производителяIXFN210N30P3 Конструкция диодаодиночный транзистор
7 057.07 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N30P3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора375нC Код производителяIXFN210N30X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 258.09 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N30X3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 210А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности128нс Заряд затвора204нC Код производителяIXFN220N20X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
7 409.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN220N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 160А; SOT227B; винтами; 390Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC Код производителяIXFN230N20T Конструкция диодаодиночный транзистор
6 755.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN230N20T, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора460нC Код производителяIXFN240N15T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
5 303.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN240N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 240А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности165нс Заряд затвора345нC Код производителяIXFN240N25X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 198.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN240N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 240А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Код производителяIXFN24N100 Конструкция диодаодиночный транзистор
7 911.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN24N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора197нC Код производителяIXFN26N100P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 862.86 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора255нC Код производителяIXFN26N120P Конструкция диодаодиночный транзистор
8 110.73 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN26N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора160нC Код производителяIXFN27N120SK Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 283.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN27N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора279нC Код производителяIXFN300N10P Конструкция диодаодиночный транзистор
8 198.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности172нс Заряд затвора375нC Код производителяIXFN300N20X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
9 103.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN300N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Код производителяIXFN30N120P Конструкция диодаодиночный транзистор
15 143.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора640нC Код производителяIXFN320N17T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
11 048.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN320N17T2, Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора225нC Код производителяIXFN32N100P Конструкция диодаодиночный транзистор
6 655.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора195нC Код производителяIXFN32N100Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
16 378.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора360нC Код производителяIXFN32N120P Конструкция диодаодиночный транзистор
17 635.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора150нC Код производителяIXFN32N80P Конструкция диодаодиночный транзистор
6 390.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора0,49мкC Код производителяIXFN340N07 Конструкция диодаодиночный транзистор
12 283.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN340N07, Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности130нс Заряд затвора525нC Код производителяIXFN360N10T Конструкция диодаодиночный транзистор
5 000.00 
Доступность: 244 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN360N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж