Товары из категории полупроводники - страница 1880

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,27мкC Код производителяIXFN62N80Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
13 756.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN62N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Код производителяIXFN64N50P Конструкция диодаодиночный транзистор
5 415.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора200нC Код производителяIXFN64N60P Конструкция диодаодиночный транзистор
6 004.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора230нC Код производителяIXFN66N85X Конструкция диодаодиночный транзистор
9 836.46 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора380нC Код производителяIXFN80N50 Конструкция диодаодиночный транзистор
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 80А; SOT227B; винтами; 694Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора195нC Код производителяIXFN80N50P Конструкция диодаодиночный транзистор
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 66А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Код производителяIXFN80N50Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 925.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,19мкC Код производителяIXFN80N60P3 Конструкция диодаодиночный транзистор
6 270.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Код производителяIXFN82N60P Конструкция диодаодиночный транзистор
6 972.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора275нC Код производителяIXFN82N60Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
10 722.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора376нC Код производителяIXFN90N170SK Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
104 640.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора340нC Код производителяIXFN90N85X Конструкция диодаодиночный транзистор
9 772.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,22мкC Код производителяIXFN94N50P2 Конструкция диодаодиночный транзистор
6 131.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN94N50P2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора87нC Код производителяIXFP102N15T КорпусTO220AB
1 002.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFP102N15T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 102А; 455Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности120нс Заряд затвора32нC Код производителяIXFP10N60P
528.11 
Доступность: 14 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFP10N60P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; 200Вт; TO220AB; 120нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC Код производителяIXFP10N80P КорпусTO220AB
989.78 
Доступность: 293 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFP10N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; 300Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности85нс Заряд затвора150нC Код производителяIXFP110N15T2
1 096.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFP110N15T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 110А; 480Вт; TO220AB; 85нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора29нC Код производителяIXFP12N50P КорпусTO220AB
884.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFP12N50P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 200Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности155нс Заряд затвора18,5нC Код производителяIXFP12N65X2
752.98 
Доступность: 214 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFP12N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности155нс Заряд затвора18,5нC Код производителяIXFP12N65X2M
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFP12N65X2M, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 12А; 40Вт; TO220AB" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж