Товары из категории полупроводники - страница 2036

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4442DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4442DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 22А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSI4447ADY-T1-GE3 КорпусSO8
166.81 
Доступность: 195 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4447ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -7,2А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSI4447DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4447DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSI4447DY-T1-GE3 КорпусSO8
162.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC Код производителяSI4451DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4451DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -14А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC Код производителяSI4451DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4451DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -14А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI4455DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4455DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,8А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,2нC Код производителяSI4455DY-T1-GE3 КорпусSO8
430.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4455DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSI4456DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4456DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 33А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSI4456DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4456DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 33А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC Код производителяSI4459ADY-T1-GE3 КорпусSO8
552.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4459ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -23,5А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC Код производителяSI4459BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4459BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -27,8А; Idm: -150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSI4463BDY-E3 КорпусSO8
190.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4463BDY-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11,1А; 3Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSI4463BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4463BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9,8А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSI4463BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4463BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,7А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора162нC Код производителяSI4463CDY-T1-GE3 КорпусSO8
252.77 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18,6А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI4464DY-T1-E3 КорпусSO8
494.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4464DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 2,2А; Idm: 8А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI4464DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4464DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 2,2А; Idm: 8А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC Код производителяSI4465ADY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4465ADY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -13,7А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC Код производителяSI4465ADY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4465ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -13,7А; Idm: -40А" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж