Товары из категории полупроводники - страница 2042

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14/16нC Код производителяSI5517DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5517DU-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 6/-6А; 8,3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC Код производителяSI5618-TP КорпусSOT23
92.77 
Доступность: 527 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC Код производителяSI5618A-TP КорпусSOT23
97.02 
Доступность: 1677 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяSI5902BDC-T1-E3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5902BDC-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяSI5902BDC-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5902BDC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC Код производителяSI5908DC-T1-E3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5908DC-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC Код производителяSI5908DC-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5908DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяSI5922DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5922DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 24А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSI5935CDC-T1-E3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSI5935CDC-T1-GE3 КорпусChipFET
145.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSI5936DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5936DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяSI5948DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5948DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 10А; 7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI6415DQ-T1-E3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6415DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI6415DQ-T1-GE3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6415DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSI6423DQ-T1-E3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6423DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSI6423DQ-T1-GE3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6423DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,2А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23/51нC Код производителяSI6562CDQ-T1-GE3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6562CDQ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,2/-4,9А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSI6913DQ-T1-E3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6913DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,8А; 1,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSI6913DQ-T1-GE3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6913DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,8А; 1,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC Код производителяSI6926ADQ-T1-E3 КорпусTSSOP8
286.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж