Товары из категории полупроводники - страница 2059

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSIA923EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
62.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA923EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSIA928DJ-T1-GE3 МонтажSMD
45.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA928DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSIA929DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
180.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA929DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSIA931DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA931DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; Idm: -28А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC Код производителяSIA938DJT-T1-GE3 МонтажSMD
51.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA938DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSIA975DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
180.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA975DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSIAA00DJ-T1-GE3 МонтажSMD
71.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA00DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSIAA02DJ-T1-GE3 МонтажSMD
50.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA02DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 52А; Idm: 100А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSIAA40DJ-T1-GE3 МонтажSMD
95.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA40DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIB406EDK-T1-GE3 МонтажSMD
56.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB406EDK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 6А; Idm: 15А; 10Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIB417EDK-T1-GE3 МонтажSMD
51.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB417EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -9А; Idm: -15А; 13Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSIB422EDK-T1-GE3 МонтажSMD
47.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB422EDK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 9А; Idm: 25А; 13Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSIB433EDK-T1-GE3 МонтажSMD
47.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB433EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSIB441EDK-T1-GE3 МонтажSMD
38.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB441EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9А; Idm: -40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,5нC Код производителяSIB452DK-T1-GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
200.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB452DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 0,53А; 13Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяSIB456DK-T1-GE3 МонтажSMD
36.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB456DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 6,3А; Idm: 7А; 13Вт" 3000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIB457EDK-T1-GE3
123.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB457EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC Код производителяSIB912DK-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC75
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB912DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 5А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIDR104ADP-T1-RE3 МонтажSMD
324.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR104ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIDR104AEP-T1-RE3 МонтажSMD
393.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR104AEP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 90,5А; Idm: 200А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж