Товары из категории полупроводники - страница 2065

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC Код производителяSIHB33N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 372.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC Код производителяSIHB35N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 256.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора134нC Код производителяSIHB35N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
845.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHB4N80E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
359.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSIHB6N65E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
474.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIHB6N80E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
853.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,4А; Idm: 15А; 78Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIHB8N50D-GE3 КорпусD2PAK, TO263
265.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSIHD12N50E-GE3 КорпусDPAK, TO252
365.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD12N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяSIHD14N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
404.26 
Доступность: 355 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHD14N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHD180N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
560.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHD186N60EF-GE3 КорпусDPAK, TO252
611.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD186N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC Код производителяSIHD1K4N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
302.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD1K4N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSIHD240N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
513.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD240N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 30А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC Код производителяSIHD2N80AE-GE3 КорпусDPAK, TO252
243.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,6нC Код производителяSIHD2N80E-GE3 КорпусDPAK, TO252
352.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIHD3N50D-GE3 КорпусDPAK, TO252
188.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHD4N80E-GE3 КорпусDPAK, TO252
415.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIHD5N50D-GE3 КорпусDPAK, TO252
158.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD5N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIHD690N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
349.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD690N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 11А; 62,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяSIHD6N62E-GE3 КорпусDPAK, TO252
245.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD6N62E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж