Товары из категории полупроводники - страница 2057

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSIA430DJT-T1-GE3 МонтажSMD
47.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA430DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 12А; Idm: 40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяSIA431DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA431DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIA432DJ-T1-GE3 МонтажSMD
121.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA432DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSIA433EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
78.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,2нC Код производителяSIA436DJ-T1-GE3 МонтажSMD
65.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA436DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 12А; Idm: 50А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяSIA437DJ-T1-GE3 МонтажSMD
74.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSIA440DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
108.94 
Доступность: 268 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA440DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяSIA441DJ-T1-GE3 МонтажSMD
167.66 
Доступность: 1081 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяSIA445EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
62.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA445EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC Код производителяSIA445EDJT-T1-GE3 МонтажSMD
43.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA445EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSIA446DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
180.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA446DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 7,7А; Idm: 10А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяSIA447DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
98.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA447DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяSIA449DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
126.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA449DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -30А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC Код производителяSIA456DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
131.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA456DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIA459EDJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA459EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9А; Idm: -40А; 10Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSIA461DJ-T1-GE3 МонтажSMD
114.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA461DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSIA462DJ-T1-GE3 МонтажSMD
30.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA462DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIA466EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
67.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA466EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSIA468DJ-T1-GE3 МонтажSMD
57.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA468DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 37,8А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIA469DJ-T1-GE3 МонтажSMD
102.98 
Доступность: 55 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA469DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж