Товары из категории полупроводники - страница 2060

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC Код производителяSIDR140DP-T1-GE3 МонтажSMD
302.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR140DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC Код производителяSIDR140DP-T1-RE3 МонтажSMD
342.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR140DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC Код производителяSIDR170DP-T1-RE3 МонтажSMD
316.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора200нC Код производителяSIDR220DP-T1-RE3 МонтажSMD
352.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR220DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC Код производителяSIDR390DP-T1-GE3 МонтажSMD
302.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR390DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC Код производителяSIDR392DP-T1-GE3 МонтажSMD
329.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR392DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC Код производителяSIDR392DP-T1-RE3 МонтажSMD
221.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR392DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC Код производителяSIDR402DP-T1-GE3 МонтажSMD
310.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR402DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC Код производителяSIDR500EP-T1-RE3 МонтажSMD
434.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR500EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 421А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC Код производителяSIDR5102EP-T1-RE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR5102EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC Код производителяSIDR510EP-T1-RE3 МонтажSMD
348.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR510EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 148А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC Код производителяSIDR570EP-T1-RE3 МонтажSMD
382.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR570EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 90,9А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяSIDR5802EP-T1-RE3 МонтажSMD
327.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR5802EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 153А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC Код производителяSIDR608DP-T1-RE3 МонтажSMD
297.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR608DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIDR610DP-T1-GE3 МонтажSMD
464.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR610DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 39,6А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIDR610DP-T1-RE3 МонтажSMD
320.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR610DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 39,6А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSIDR622DP-T1-GE3 МонтажSMD
372.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR622DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 56,7А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSIDR622DP-T1-RE3 МонтажSMD
320.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR622DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 56,7А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC Код производителяSIDR626DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC Код производителяSIDR626DP-T1-RE3 МонтажSMD
399.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж