Товары из категории полупроводники - страница 2061

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC Код производителяSIDR626LDP-T1-RE3 МонтажSMD
371.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 204А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC Код производителяSIDR626LEP-T1-RE3 МонтажSMD
441.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626LEP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 218А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC Код производителяSIDR638DP-T1-GE3 МонтажSMD
331.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR638DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC Код производителяSIDR638DP-T1-RE3 МонтажSMD
331.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR638DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC Код производителяSIDR668ADP-T1-RE3 МонтажSMD
316.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR668ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 104А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC Код производителяSIDR668DP-T1-GE3 МонтажSMD
354.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR668DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC Код производителяSIDR680ADP-T1-RE3 МонтажSMD
318.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR680ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 137А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяSIDR680DP-T1-GE3 МонтажSMD
389.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR680DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяSIDR870ADP-T1-GE3 МонтажSMD
249.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR870ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяSIE802DF-T1-E3 МонтажSMD
434.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE802DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC Код производителяSIE808DF-T1-E3 МонтажSMD
468.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE808DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC Код производителяSIE812DF-T1-E3 МонтажSMD
389.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE812DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC Код производителяSIE812DF-T1-GE3 МонтажSMD
389.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE812DF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSIE818DF-T1-E3 МонтажSMD
600.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE818DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 125Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSIE818DF-T1-GE3 МонтажSMD
503.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE818DF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 125Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC Код производителяSIE822DF-T1-E3 МонтажSMD
377.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE822DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 104Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора50нC Код производителяSIHA100N60E-GE3 КорпусTO220FP
919.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHA100N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 73А; 35Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора42нC Код производителяSIHA11N80AE-GE3 КорпусTO220FP
318.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHA11N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 31Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора88нC Код производителяSIHA11N80E-GE3 КорпусTO220FP
773.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHA11N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 34Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора45нC Код производителяSIHA120N60E-GE3 КорпусTO220FP
932.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHA120N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 34Вт; TO220FP" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж