Товары из категории полупроводники - страница 2055

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8806DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8806DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 3,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSI8808DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8808DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSI8810EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8810EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,9А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8812DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8812DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 3,2А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSI8816EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8816EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2,3А; Idm: 8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSI8817DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8817DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,9А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8819EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8819EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -2,9А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8821EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8821EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,3А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8823EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8823EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC Код производителяSI8824EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8824EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,9А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC Код производителяSI8851EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8851EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -16,7А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяSI8902AEDB-T2-E1 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8902AEDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 24В; 11А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора22нC Код производителяSI9407BDY-T1-GE3 КорпусSO8 МонтажSMD
302.98 
Доступность: 2694 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSI9407BDY-T1-E3 КорпусSO8
242.55 
Доступность: 1888 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSI9407BDY-T1-GE3 КорпусSO8
291.06 
Доступность: 1848 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSI9433BDY-T1-E3 КорпусSO8
251.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSI9433BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,2А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSI9433BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,2А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSI9435BDY-T1-E3 КорпусSO8
78.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9435BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSI9435BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 
Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж