Товары из категории полупроводники - страница 2080

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора32нC Код производителяSIHU4N80AE-GE3 КорпусIPAK, TO251
327.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU4N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора20нC Код производителяSIHU5N50D-GE3 КорпусIPAK, TO251
216.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU5N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора34нC Код производителяSIHU6N62E-GE3 КорпусIPAK, TO251
235.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU6N62E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; IPAK,TO251" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора48нC Код производителяSIHU6N65E-GE3 КорпусIPAK, TO251
344.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора22,5нC Код производителяSIHU6N80AE-GE3 КорпусIPAK, TO251
355.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC Код производителяSIHU7N60E-GE3 КорпусIPAK, TO251
263.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU7N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора72нC Код производителяSIHW21N80AE-GE3 КорпусTO247AD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт; TO247AD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора371нC Код производителяSIHW61N65EF-GE3 КорпусTO247AD
5 173.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW61N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 41А; Idm: 199А; 520Вт; TO247AD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора380нC Код производителяSIHW70N60EF-GE3 КорпусTO247AD
3 377.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW70N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 45А; Idm: 229А; 520Вт; TO247AD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIJ128LDP-T1-GE3 МонтажSMD
183.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ128LDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 25,5А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIJ150DP-T1-GE3 МонтажSMD
140.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ150DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 110А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC Код производителяSIJ186DP-T1-GE3 МонтажSMD
151.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ186DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 79,4А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIJ188DP-T1-GE3 МонтажSMD
217.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ188DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 92,4А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора162нC Код производителяSIJ438ADP-T1-GE3 МонтажSMD
168.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ438ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 169А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора182нC Код производителяSIJ438DP-T1-GE3 МонтажSMD
268.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ438DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 80А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIJ462ADP-T1-GE3 МонтажSMD
166.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 39,3А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIJ462DP-T1-GE3 МонтажSMD
171.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 46,5А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSIJ470DP-T1-GE3 МонтажSMD
130.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 58,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC Код производителяSIJ478DP-T1-GE3 МонтажSMD
151.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ478DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC Код производителяSIJ4819DP-T1-GE3 МонтажSMD
291.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж