Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории полупроводники - страница 2388

Категории
Полупроводники
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
Симисторы
+3Еще
Oптоэлектроника
Автоматика
Автомобильная аудиосистема
Вентиляторы, сис. охлаждения и нагрева
Источники звука
Источники света
Источники энергии
Компьютерные аксессуары
Корпуса
Механические элементы
Неклассифицированные
Оборудование мастерских
Пассивные элементы
Переключатели и индикаторы
Пневматика и гидравлика
Предохранители и защитные устройства
Провода и кабели
Разъeмы
Реле и контакторы
Робототехника и макетирование
Системы Embedded и IoT
Трансформаторы и сердечники
Без категории
Кабельные наконечники
Фильтры товаров
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
GN2470K4-G, Транзистор: IGBT; 700В; 1А; 2,5Вт; DPAK
0.0
GN2470K4-G
Вид упаковкибобина, лента Код производителяGN2470K4-G КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GN2470K4-G, Транзистор: IGBT; 700В; 1А; 2,5Вт; DPAK" 1.

GT15J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP
0.0
GT15J341
Вид упаковкитуба Время включения180нс Время выключения320нс Код производителяGT15J341,S4X(S КорпусTO220FP
355.83 ₽
Доступность: 96 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT15J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP" 1.

GT20J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP
0.0
GT20J341
Вид упаковкитуба Время включения0,2мкс Время выключения370нс Код производителяGT20J341,S4X(S КорпусTO220FP
544.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GT20J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP" 1.

GT30J121(Q), Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN
0.0
GT30J121Q
Вид упаковкитуба Время включения240нс Время выключения430нс Код производителяGT30J121(Q) КорпусTO3PN
750.00 ₽
Доступность: 101 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT30J121(Q), Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN" 1.

GT40QR21(STA1,E,D, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN
0.0
GT40QR21
Вид упаковкитуба Время включения0,3мкс Время выключения0,6мкс Код производителяGT40QR21(STA1,E,D КорпусTO3PN
1 000.83 ₽
Доступность: 118 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT40QR21(STA1,E,D, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN" 1.

GT40WR21,Q(O, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN
0.0
GT40WR21
Вид упаковкитуба Время включения950нс Время выключения570нс Код производителяGT40WR21,Q(O КорпусTO3PN
2 438.33 ₽
Доступность: 70 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT40WR21,Q(O, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN" 1.

GT50JR21(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN
0.0
GT50JR21
Вид упаковкитуба Время включения430нс Время выключения720нс Код производителяGT50JR21(STA1,E,S) КорпусTO3PN
1 116.67 ₽
Доступность: 83 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT50JR21(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN" 1.

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
0.0
GT50JR22
Вид упаковкитуба Время включения250нс Время выключения330нс Код производителяGT50JR22(STA1,E,S) КорпусTO3PN
1 109.17 ₽
Доступность: 166 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN" 1.

HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
HFGM100D12V1-HUA
Код производителяHFGM100D12V1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 010.00 ₽
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
HFGM150D12V3-HUA
Код производителяHFGM150D12V3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
15 785.00 ₽
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
HFGM200D12V3-HUA
Код производителяHFGM200D12V3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
16 555.00 ₽
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
HFGM300D12V3-HUA
Код производителяHFGM300D12V3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
27 500.00 ₽
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
HFGM75D12V1-HUA
Код производителяHFGM75D12V1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 855.00 ₽
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HGTD1N120BNS9A, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 2,7А; 60Вт; DPAK
0.0
HGTD1N120BNS9A
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяHGTD1N120BNS9A КорпусDPAK МонтажSMD
137.50 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HGTD1N120BNS9A, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 2,7А; 60Вт; DPAK" 2500.

HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A
0.0
HPFM-00117
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения3,3кВ Код производителяHPFM-00117 МонтажPCB
72 960.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A" 1.

IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
IFF450B12ME4PB11
Код производителяIFF450B12ME4PB11BPSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
34 785.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
IFF600B12ME4PB11
Код производителяIFF600B12ME4PB11BPSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
45 758.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

IGB01N120H2ATMA1, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 1,3А; 28Вт; D2PAK
0.0
IGB01N120H2ATMA1
Вид упаковкибобина, лента Время включения20,9нс Время выключения493нс Заряд затвора8,6нC Код производителяIGB01N120H2ATMA1
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGB01N120H2ATMA1, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 1,3А; 28Вт; D2PAK" 1.

IGB03N120H2ATMA1, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 3,9А; 62,5Вт; D2PAK
0.0
IGB03N120H2ATMA1
Вид упаковкибобина, лента Время включения16,1нс Время выключения403нс Заряд затвора22нC Код производителяIGB03N120H2ATMA1
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGB03N120H2ATMA1, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 3,9А; 62,5Вт; D2PAK" 1.

IGB10N60TATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; D2PAK
0.0
IGB10N60T
Вид упаковкитуба Код производителяIGB10N60TATMA1 КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В
195.00 ₽
Доступность: 389 шт.
 

Минимальное количество для товара "IGB10N60TATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж