Полупроводниковые модули

Полупроводниковые модули – готовые решения для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые модули: силовые, управляющие, оптоэлектронные и другие. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводниковые модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
FS100R12W2T7B11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY2B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS100R12W2T7B11BOMA1
14 34848 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS100R12W2T7B11BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
FS10R12VT3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY750-1 Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS10R12VT3BOMA1 Обратное напряжение макс.1,2кВ
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS10R12VT3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 10А" 1.

0.0
FS150R12KT4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS150R12KT4BOSA1
48 32576 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS150R12KT4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
FS150R17PE4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO4-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS150R17PE4BOSA1
61 86458 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS150R17PE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
FS15R12VT3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY750-1 Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS15R12VT3BOMA1 Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 81250 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS15R12VT3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 15А" 1.

0.0
FS200R12KT4RB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS200R12KT4RB11BOSA1
91 02557 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS200R12KT4RB11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
FS50R12KE3BPSA1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO2B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS50R12KE3BPSA1
28 32860 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS50R12KE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; 270Вт" 1.

0.0
FS75R12W2T4B11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY2B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS75R12W2T4B11BOMA1
18 89205 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS75R12W2T4B11BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
FS75R17KE3BOSA1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS75R17KE3BOSA1
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS75R17KE3BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

0.0
FS820R08A6P2LB
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-HYBRIDD-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS820R08A6P2LBBPSA1
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS820R08A6P2LBBPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 450А" 1.

0.0
FZ1000R33HE3BPSA1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-IHVB130-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ1000R33HE3BPSA1
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FZ1000R33HE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1кА; винтами" 1.

0.0
FZ1400R33HE4BPSA1
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-IHVB130-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ1400R33HE4BPSA1
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FZ1400R33HE4BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
FZ2000R33HE4BOSA1
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-IHVB190-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ2000R33HE4BOSA1
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FZ2000R33HE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3" 1.

0.0
FZ400R12KS4HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R12KS4HOSA1
22 96875 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FZ400R12KS4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; AG-62MM" 1.

0.0
FZ400R17KE4HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R17KE4HOSA1
40 61837 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FZ400R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
FZ600R12KE3HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ600R12KE3HOSA1
46 45076 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FZ600R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM" 1.

0.0
FZ900R12KE4HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ900R12KE4HOSA1
53 74053 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FZ900R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами" 1.

0.0
G3R20MT12N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
10 36080 
Доступность: 120 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт" 1.

0.0
G3R20MT17N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
27 84091 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт" 1.

0.0
GB2X100MPS12-227
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,8кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GB2X100MPS12-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 100Аx2; SOT227B" 1.

0.0
GB2X50MPS12-227
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,4кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GB2X50MPS12-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 50Аx2; SOT227B" 1.

0.0
GB2X50MPS17-227
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,432кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GB2X50MPS17-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,7кВ; If: 50Аx2; SOT227B" 1.

0.0
GC2X100MPS06-227
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,64кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GC2X100MPS06-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 100Аx2; SOT227B" 1.

0.0
GC2X50MPS06-227
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,32кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GC2X50MPS06-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 50Аx2; SOT227B" 1.

Показать еще 24 товара