Полупроводниковые модули

Полупроводниковые модули – готовые решения для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые модули: силовые, управляющие, оптоэлектронные и другие. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводниковые модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
IXFN100N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора183нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 35227 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN100N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

0.0
IXFN102N30P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора224нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 12311 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт" 1.

0.0
IXFN110N60P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора254нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 76705 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN110N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 90А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

0.0
IXFN110N85X
Вид каналаобогащенный Время готовности205нс Заряд затвора425нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
18 76894 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

0.0
IXFN120N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности220нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 58144 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

0.0
IXFN130N90SK
Вид каналаобогащенный Заряд затвора68нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
42 90909 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

0.0
IXFN132N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 40152 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN132N50P3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

0.0
IXFN140N20P
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 11080 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN140N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

0.0
IXFN140N25T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN140N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 120А; SOT227B; винтами; 690Вт" 1.

0.0
IXFN140N30P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора185нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 85511 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN140N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 110А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

0.0
IXFN150N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора355нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 78883 
Доступность: 20 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXFN150N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

0.0
IXFN160N30T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 28977 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN160N30T, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

0.0
IXFN170N25X3
Вид каналаобогащенный Время готовности135нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 87311 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN170N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 146А; SOT227B; винтами; 390Вт" 1.

0.0
IXFN170N30P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора258нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 85133 
Доступность: 100 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXFN170N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 138А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

0.0
IXFN170N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности270нс Заряд затвора434нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 01894 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

0.0
IXFN180N15P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 96212 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXFN180N15P, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 150А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

0.0
IXFN180N25T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 10322 
Доступность: 120 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXFN180N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

0.0
IXFN200N10P
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора235нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 96970 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

0.0
IXFN20N120P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора193нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 24905 
Доступность: 27 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXFN20N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

0.0
IXFN210N20P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN210N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 188А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

0.0
IXFN210N30P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 48201 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXFN210N30P3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

0.0
IXFN210N30X3
Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN210N30X3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 210А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

0.0
IXFN220N20X3
Вид каналаобогащенный Время готовности128нс Заряд затвора204нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 12311 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXFN220N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 160А; SOT227B; винтами; 390Вт" 1.

0.0
IXFN230N20T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 58144 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN230N20T, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт" 1.

Показать еще 24 товара