Полупроводниковые модули

Полупроводниковые модули – готовые решения для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые модули: силовые, управляющие, оптоэлектронные и другие. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводниковые модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
GD300HFX65C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
GD300HFX65C8SN
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C8SN
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C8SN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
GD300HFY120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFY120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD300HFY120C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFY120C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD300HTY120C7S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC7 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HTY120C7S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HTY120C7S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 300А" 1.

0.0
GD300SGY120C2S
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300SGY120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300SGY120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

0.0
GD30PJX65F1S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65F1S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD30PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 1.

0.0
GD30PJX65L2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65L2S
6 76894 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 1.

0.0
GD35PJY120F2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120F2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD35PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 1.

0.0
GD35PJY120F5S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF5.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120F5S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD35PJY120F5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 1.

0.0
GD35PJY120L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120L3S
10 47822 
Доступность: 15 шт.
+

Минимальное количество для товара "GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 1.

0.0
GD3600SGX170C4S
Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC4 140mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD3600SGX170C4S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD3600SGX170C4S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами" 1.

0.0
GD3600SGY120C4S
Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC4 140mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD3600SGY120C4S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD3600SGY120C4S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами" 1.

0.0
GD400CLY120C2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400CLY120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD400CLY120C2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1200В; Ic: 400А" 1.

0.0
GD400CUY120C2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400CUY120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD400CUY120C2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD400HFU120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFU120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD400HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD400HFX170C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFX170C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD400HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD400HFX65C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFX65C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD400HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
GD400HFY120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFY120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD400HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD400SGU120C2S
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400SGU120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD400SGU120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

0.0
GD400SGX170C2S
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400SGX170C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD400SGX170C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

0.0
GD400SGY120C2S
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400SGY120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD400SGY120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

0.0
GD40PIY120C5S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD40PIY120C5S
14 60227 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А" 1.

0.0
GD450HFX170C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD450HFX170C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD450HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Показать еще 24 товара