Полупроводниковые модули

Полупроводниковые модули – готовые решения для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые модули: силовые, управляющие, оптоэлектронные и другие. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводниковые модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
HFGM300D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM300D12V3
29 82955 
Доступность: 7 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM75D12V1-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM75D12V1
9 60511 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HPFM-00117
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения3,3кВ МонтажPCB Обозначение производителяHPFM-00117
79 14205 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A" 1.

0.0
HUR2X100-40-SIR
Время готовности30нс Импульсный ток1кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
2 92330 
Доступность: 10 шт.
+

Минимальное количество для товара "HUR2X100-40, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 400В; If: 100Аx2; SOT227B" 1.

0.0
HUR2X120-40-SIR
Время готовности30нс Импульсный ток1,2кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
3 08239 
Доступность: 10 шт.
+

Минимальное количество для товара "HUR2X120-40, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 400В; If: 120Аx2; SOT227B" 1.

0.0
HUR2X30-100-SIR
Время готовности40нс Импульсный ток200А Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
2 04830 
Доступность: 10 шт.
+

Минимальное количество для товара "HUR2X30-100, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1кВ; If: 30Аx2; SOT227B; 40нс" 1.

0.0
HUR2X30-120-SIR
Время готовности40нс Импульсный ток200А Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
2 22727 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HUR2X30-120, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 30Аx2; SOT227B" 1.

0.0
HUR2X30-40-SIR
Время готовности30нс Импульсный ток0,3кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
1 79545 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "HUR2X30-40, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 400В; If: 30Аx2; SOT227B" 1.

0.0
HUR2X30-60-SIR
Время готовности35нс Импульсный ток250А Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
1 87973 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "HUR2X30-60, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 600В; If: 30Аx2; SOT227B" 1.

0.0
HUR2X60-120-SIR
Время готовности40нс Импульсный ток0,8кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
2 88352 
Доступность: 10 шт.
+

Минимальное количество для товара "HUR2X60-120, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 60Аx2; SOT227B" 1.

0.0
HUR2X60-60-SIR
Время готовности35нс Импульсный ток0,6кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
2 46591 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HUR2X60-60, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 600В; If: 60Аx2; SOT227B" 1.

0.0
IFF450B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF450B12ME4PB11BPSA1
51 24148 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
IFF600B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF600B12ME4PB11BPSA1
67 28125 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
IXA20PG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA20PG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
2 20739 
Доступность: 32 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А" 1.

0.0
IXA30RG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA30RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 81723 
Доступность: 52 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

0.0
IXA40RG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA40RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
2 43845 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А" 1.

0.0
IXA60IF1200NA
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA60IF1200NA
10 51989 
Доступность: 50 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA60IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 56А; SOT227B" 1.

0.0
IXA70I1200NA
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA70I1200NA
7 22917 
Доступность: 25 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B" 1.

0.0
IXBN42N170A
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN42N170A
7 83144 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN42N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B" 1.

0.0
IXBN75N170
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170
20 51705 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B" 1.

0.0
IXBN75N170A
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170A
13 78883 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN75N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

0.0
IXDN75N120
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXDN75N120
10 26894 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B" 1.

0.0
IXFN100N50P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 45739 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN100N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 75А; SOT227B; винтами; 1,04кВт" 1.

0.0
IXFN100N50Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 20644 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN100N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 82А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Показать еще 24 товара