Полупроводниковые модули

Полупроводниковые модули – готовые решения для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые модули: силовые, управляющие, оптоэлектронные и другие. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводниковые модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
GD200HFX65C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX65C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
GD200HFX65C8S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX65C8S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFX65C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
GD200HFY120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFY120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD200HFY120C8S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFY120C8S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFY120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD200TLQ120L3S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200TLQ120L3S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200TLQ120L3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
GD20PJX65F1S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65F1S
7 29072 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

0.0
GD20PJX65L2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65L2S
7 18655 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

0.0
GD225HFX170C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD225HFX170C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD225HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD225HFY120C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD225HFY120C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD225HFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD2400SGX170C4S
Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC4 140mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGX170C4S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD2400SGX170C4S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами" 1.

0.0
GD2400SGY120C3S
Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGY120C3S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD2400SGY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD2400SGY120C4S
Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC4 140mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGY120C4S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD2400SGY120C4S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами" 1.

0.0
GD25PJY120F2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120F2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD25PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 1.

0.0
GD25PJY120F5S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF5.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120F5S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD25PJY120F5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 1.

0.0
GD25PJY120L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120L3S
9 80966 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 1.

0.0
GD2X100MPS06N
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,44кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
9 34659 
Доступность: 83 шт.
+

Минимальное количество для товара "GD2X100MPS06N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 108Аx2; SOT227B" 1.

0.0
GD2X100MPS12N
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,8кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD2X100MPS12N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 100Аx2; SOT227B" 1.

0.0
GD2X30MPS06N
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,168кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
6 68182 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "GD2X30MPS06N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 30Аx2; SOT227B" 1.

0.0
GD2X30MPS12N
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,24кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
8 98864 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD2X30MPS12N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 30Аx2; SOT227B" 1.

0.0
GD2X75MPS17N
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,6кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD2X75MPS17N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,7кВ; If: 75Аx2; SOT227B" 1.

0.0
GD300HFU120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFU120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD300HFX170C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX170C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD300HFX170C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX170C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD300HFX65C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Показать еще 24 товара