Полупроводниковые модули

Полупроводниковые модули – готовые решения для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые модули: силовые, управляющие, оптоэлектронные и другие. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводниковые модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
GD150FFX65C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150FFX65C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD150FFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
GD150FFY120C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150FFY120C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD150FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
GD150HFU120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFU120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD150HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD150HFX170C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFX170C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD150HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD150HFX65C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFX65C1S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD150HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
GD150HFY120C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFY120C1S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD150HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD150HFY120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFY120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD150HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD150HFY120C8S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFY120C8S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD150HFY120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD150HHU120C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HHU120C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD150HHU120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 150А" 1.

0.0
GD150MLX65L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150MLX65L3S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD150MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
GD150PIY120C6SN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150PIY120C6SN
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD150PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD15PJX65F1S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJX65F1S
6 95644 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD15PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А" 1.

0.0
GD15PJX65L2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJX65L2S
5 76894 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD15PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А" 1.

0.0
GD15PJY120F1S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F1S
7 29072 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

0.0
GD15PJY120F2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

0.0
GD15PJY120F4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF4.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F4S
7 72822 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

0.0
GD15PJY120F5S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF5.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F5S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

0.0
GD15PJY120L2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120L2S
6 72727 
Доступность: 21 шт.
+

Минимальное количество для товара "GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

0.0
GD1600SGX170C3S
Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD1600SGX170C3S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD1600SGX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x2; винтами" 1.

0.0
GD200FFX65C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200FFX65C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200FFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
GD200FFY120C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200FFY120C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
GD200HFU120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFU120C2S
23 53788 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD200HFX170C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX170C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD200HFX65C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX65C1S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD200HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Показать еще 24 товара