Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторные модули MOSFET

IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт

0.0

КОД:

IXFN170N65X2

Вид каналаобогащенный Время готовности270нс Заряд затвора434нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

8 593 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

IXFN180N15P, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 150А; SOT227B; винтами; 680Вт

0.0

КОД:

IXFN180N15P

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

4 657 ₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN180N15P, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 150А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

IXFN180N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт

0.0

КОД:

IXFN180N25T

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

5 761 ₽

Доступность: 300 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN180N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт

0.0

КОД:

IXFN200N10P

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора235нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

4 657 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

IXFN20N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; винтами; 595Вт

0.0

КОД:

IXFN20N120P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора193нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

2 679 ₽

Доступность: 26 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN20N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

IXFN210N30P3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; винтами; 1500Вт

0.0

КОД:

IXFN210N30P3

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 307 ₽

Доступность: 1 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN210N30P3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

IXFN210N30X3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 210А; SOT227B; винтами; 695Вт

0.0

КОД:

IXFN210N30X3

Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 879 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN210N30X3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 210А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN220N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 160А; SOT227B; винтами; 390Вт

0.0

КОД:

IXFN220N20X3

Вид каналаобогащенный Время готовности128нс Заряд затвора204нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 621 ₽

Доступность: 1 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN220N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 160А; SOT227B; винтами; 390Вт" 1.

IXFN230N20T, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт

0.0

КОД:

IXFN230N20T

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 141 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN230N20T, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт" 1.

IXFN240N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 240А; SOT227B; винтами; 830Вт

0.0

КОД:

IXFN240N15T2

Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора460нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

4 740 ₽

Доступность: 1 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN240N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 240А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXFN240N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 240А; SOT227B; винтами; 695Вт

0.0

КОД:

IXFN240N25X3

Вид каналаобогащенный Время готовности165нс Заряд затвора345нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

9 158 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN240N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 240А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN24N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; винтами; Idm: 96А

0.0

КОД:

IXFN24N100

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

8 754 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN24N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А

0.0

КОД:

IXFN26N100P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора197нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 027 ₽

Доступность: 6 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А" 1.

IXFN26N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; винтами; 695Вт

0.0

КОД:

IXFN26N120P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 250 ₽

Доступность: 7 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN26N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN27N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC

0.0

КОД:

IXFN27N120SK

Вид каналаобогащенный Заряд затвора160нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами

10 978 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN27N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; винтами; 1070Вт

0.0

КОД:

IXFN300N10P

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора279нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

9 158 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

IXFN300N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; винтами; 695Вт

0.0

КОД:

IXFN300N20X3

Вид каналаобогащенный Время готовности172нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

9 372 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN300N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт

0.0

КОД:

IXFN30N120P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

13 533 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN320N17T2, Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт

0.0

КОД:

IXFN320N17T2

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора640нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

9 874 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN320N17T2, Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А

0.0

КОД:

IXFN32N100P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора225нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 319 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А" 1.

IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А

0.0

КОД:

IXFN32N100Q3

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора195нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

14 637 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт

0.0

КОД:

IXFN32N120P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора360нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

15 761 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 1.

IXFN32N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; винтами; 625Вт

0.0

КОД:

IXFN32N80P

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

5 711 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

IXFN340N07, Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт

0.0

КОД:

IXFN340N07

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора0,49мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

10 978 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN340N07, Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.