Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 109

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT200TS065N
19 842.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065N, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT200TS065S
24 662.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусDual INT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT300YH120N
39 191.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT300YH120N, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; Trench" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусDual INT-A-Pak LP16mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT400TD60S
62 258.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT400TD60S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT80DA120U
9 613.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT80DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT90DA120U
9 961.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT90DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 106А; SOT227B" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB116-16NOXT
15 544.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB116-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB120-16NOX
11 826.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB120-16NOX, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB120-16NOXT
21 237.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB120-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB135-22NO1
33 272.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB135-22NO1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB145-16NOXT
25 003.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB145-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB160-16NOX
16 938.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB160-16NOX, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB160-16NOXT
17 744.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB160-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB72-12NOXT
9 658.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB72-12NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB72-16NOXT
10 414.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB72-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUI30-12N1
8 491.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUI30-12N1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-phase PFC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUI72-16NOXT
10 410.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUI72-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVVZB120-16IOX
23 678.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VVZB120-16IOX, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVVZB135-16IOXT
23 678.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VVZB135-16IOXT, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVVZB170-16IOXT
24 086.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VVZB170-16IOXT, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж