Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 109

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT200TS065N
18 139.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065N, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT200TS065S
22 545.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусDual INT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT300YH120N
35 827.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT300YH120N, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; Trench" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусDual INT-A-Pak LP16mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT400TD60S
56 914.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT400TD60S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT80DA120U
8 788.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT80DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT90DA120U
9 106.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT90DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 106А; SOT227B" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB116-16NOXT
14 210.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB116-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB120-16NOX
10 811.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB120-16NOX, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB120-16NOXT
19 414.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB120-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB135-22NO1
30 415.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB135-22NO1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB145-16NOXT
22 856.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB145-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB160-16NOX
15 484.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB160-16NOX, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB160-16NOXT
16 221.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB160-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB72-12NOXT
8 829.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB72-12NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB72-16NOXT
9 520.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB72-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUI30-12N1
7 762.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUI30-12N1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-phase PFC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUI72-16NOXT
9 516.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUI72-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVVZB120-16IOX
21 646.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VVZB120-16IOX, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVVZB135-16IOXT
21 646.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VVZB135-16IOXT, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVVZB170-16IOXT
22 019.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VVZB170-16IOXT, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж