Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
IXBK55N300
Вид упаковкитуба Время включения637нс Время выключения475нс Заряд затвора335нC КорпусTO264
16 272 
Доступность: 15 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBK55N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 55А; 625Вт; TO264" 1.

0.0
IXBK64N250
Вид упаковкитуба Время включения632нс Время выключения397нс Заряд затвора400нC КорпусTO264
32 334 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBK64N250, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 64А; 735Вт; TO264" 1.

0.0
IXBK75N170
Вид упаковкитуба Время включения277нс Время выключения840нс Заряд затвора0,35мкC КорпусTO264
9 975 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBK75N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; TO264" 1.

0.0
IXBN42N170A
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN42N170A
7 280 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN42N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B" 1.

0.0
IXBN75N170
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170
19 071 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B" 1.

0.0
IXBN75N170A
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170A
10 253 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN75N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

0.0
IXBT10N170
Вид упаковкитуба Время включения63нс Время выключения1,8мкс Заряд затвора30нC КорпусTO268
1 431 
Доступность: 27 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBT10N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268" 1.

0.0
IXBT16N170A
Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения370нс Заряд затвора65нC КорпусTO268
2 416 
Доступность: 8 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBT16N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268" 1.

0.0
IXBT16N170AHV
Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения370нс Заряд затвора65нC КорпусTO268HV
2 385 
Доступность: 18 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBT16N170AHV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268HV" 1.

0.0
IXBT24N170
Вид упаковкитуба Время включения190нс Время выключения1285нс Заряд затвора0,14мкC КорпусTO268
2 963 
Доступность: 23 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBT24N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO268" 1.

0.0
IXBT2N250
Вид упаковкитуба Время включения310нс Время выключения252нс Заряд затвора10,6нC КорпусTO268
3 543 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBT2N250, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO268" 1.

0.0
IXBT42N170
Вид упаковкитуба Время включения224нс Время выключения1,07мкс Заряд затвора188нC КорпусD3PAK
4 445 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBT42N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; D3PAK" 1.

0.0
IXBT42N170A
Вид упаковкитуба Время включения33нс Время выключения308нс Заряд затвора188нC КорпусTO268
5 345 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBT42N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO268" 1.

0.0
IXBT42N300HV
Вид упаковкитуба Время включения652нс Время выключения950нс Заряд затвора200нC КорпусTO268HV
8 885 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBT42N300HV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 42А; 500Вт; TO268HV" 1.

0.0
IXBT6N170
Вид упаковкитуба Время включения104нс Время выключения700нс Заряд затвора17нC КорпусD3PAK
1 623 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBT6N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; D3PAK" 1.

0.0
IXBX25N250
Вид упаковкитуба Время включения694нс Время выключения650нс Заряд затвора103нC КорпусPLUS247™
6 951 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBX25N250, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 25А; 300Вт; PLUS247™" 1.

0.0
IXBX75N170
Вид упаковкитуба Время включения277нс Время выключения840нс Заряд затвора0,35мкC КорпусPLUS247™
13 533 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBX75N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; PLUS247™" 1.

0.0
IXBX75N170A
Вид упаковкитуба Время включения65нс Время выключения595нс Заряд затвора358нC КорпусPLUS247™
4 565 
Доступность: 8 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBX75N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 65А; 1,04кВт; PLUS247™" 1.

0.0
IXDH20N120
Вид упаковкитуба Время включения175нс Время выключения570нс Заряд затвора70нC КорпусTO247-3
1 212 
Доступность: 206 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXDH20N120, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 25А; 200Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXDN75N120
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXDN75N120
7 637 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B" 1.

0.0
IXEL40N400
Вид упаковкитуба Время включения260нс Время выключения1,17мкс Заряд затвора275нC КорпусISOPLUS i5-pac™
23 896 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXEL40N400, Транзистор: IGBT; NPT; 4кВ; 40А; 380Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

0.0
IXG70IF1200NA
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Обозначение производителяIXG70IF1200NA Обратное напряжение макс.1,2кВ
5 228 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXG70IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 86А; SOT227B" 1.

0.0
IXGA12N120A3
Вид упаковкитуба Время включения202нс Время выключения1545нс Заряд затвора20,4нC КорпусTO263
‍854‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXGA12N120A3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 12А; 100Вт; TO263" 1.

0.0
IXGA20N120A3
Вид упаковкитуба Время включения66нс Время выключения1,53мкс Заряд затвора50нC КорпусTO263
1 484 
Доступность: 600 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXGA20N120A3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 180Вт; TO263" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)