Транзисторы и модули IGBT | купить в розницу и оптом

GD75FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75FFY120C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFY120C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

GD75FSY120L3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1200В; Ic: 75А; L3.2

0.0

КОД:

GD75FSY120L3S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL3.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FSY120L3S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75FSY120L3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1200В; Ic: 75А; L3.2" 1.

GD75HFU120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD75HFU120C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFU120C1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75HFU120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD75HFX170C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

0.0

КОД:

GD75HFX170C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFX170C1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75HFX170C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

GD75HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD75HFX65C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFX65C1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD75HFY120C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFY120C1S

8 936⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD75HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75HHU120C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HHU120C5S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 75А" 1.

GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор

0.0

КОД:

GD75MLX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75MLX65L3S

11 269⁸⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

GD75PIX65C6S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75PIX65C6S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75PIX65C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75PIX65C6S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 75А" 1.

GD75PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75PIY120C6SN

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75PIY120C6SN

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 75А" 1.

GD800HFX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

0.0

КОД:

GD800HFX170C3S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD800HFX170C3S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD800HFX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

GD800HFY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD800HFY120C3S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD800HFY120C3S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD800HFY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD800SGX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x2; Ic: 800А

0.0

КОД:

GD800SGX170C3S

Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD800SGX170C3S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD800SGX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x2; Ic: 800А" 1.

GD80TLQ120F1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC

0.0

КОД:

GD80TLQ120F1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусF1.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD80TLQ120F1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD80TLQ120F1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

GD900HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD900HFY120P1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP1.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD900HFY120P1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD900HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GN2470K4-G, Транзистор: IGBT; 700В; 1А; 2,5Вт; DPAK

0.0

КОД:

GN2470K4-G

Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер700В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GN2470K4-G, Транзистор: IGBT; 700В; 1А; 2,5Вт; DPAK" 1.

GT15J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP

0.0

КОД:

GT15J341

Вид упаковкитуба Время включения180нс Время выключения320нс КорпусTO220FP МонтажTHT

350³⁸ ^₽

Доступность: 25 шт.

Минимальное количество для товара "GT15J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP" 1.

GT20J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP

0.0

КОД:

GT20J341

Вид упаковкитуба Время включения0,2мкс Время выключения370нс КорпусTO220FP МонтажTHT

393⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GT20J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP" 1.

GT30J121(Q), Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN

0.0

КОД:

GT30J121Q

Вид упаковкитуба Время включения240нс Время выключения430нс КорпусTO3PN МонтажTHT

656²⁵ ^₽

Доступность: 28 шт.

Минимальное количество для товара "GT30J121(Q), Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN" 1.

GT40QR21(STA1,E,D, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN

0.0

КОД:

GT40QR21

Вид упаковкитуба Время включения0,3мкс Время выключения0,6мкс КорпусTO3PN МонтажTHT

699⁸¹ ^₽

Доступность: 342 шт.

Минимальное количество для товара "GT40QR21(STA1,E,D, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN" 1.

GT40WR21,Q(O, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN

0.0

КОД:

GT40WR21

Вид упаковкитуба Время включения950нс Время выключения570нс КорпусTO3PN МонтажTHT

2 396⁷⁸ ^₽

Доступность: 47 шт.

Минимальное количество для товара "GT40WR21,Q(O, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN" 1.

GT50JR21(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN

0.0

КОД:

GT50JR21

Вид упаковкитуба Время включения430нс Время выключения720нс КорпусTO3PN МонтажTHT

940³⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GT50JR21(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN" 1.

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

0.0

КОД:

GT50JR22

Вид упаковкитуба Время включения250нс Время выключения330нс КорпусTO3PN МонтажTHT

833³³ ^₽

Доступность: 29 шт.

Минимальное количество для товара "GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN" 1.

HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

HFGM100D12V1-HUA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM100D12V1

10 857⁹⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.